ВЛИЯНИЕ 3d-МЕТАЛЛОВ НА КЛАСТЕРИЗАЦИЮ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ CuGaS2 (Mn, Fe, Co)

  • Andrew V. Tuchin Тучин Андрей Витальевич — аспирант, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: (908) 1485775, e-mail: a.tuchin@bk.ru
  • Nikolay N. Yefimov Ефимов Николай Николаевич — аспирант, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН; тел.: (495) 9543841, e-mail: info@igic.ras.ru
  • Larisa A. Bityutskaya Битюцкая Лариса Александровна — к.х.н., доцент, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru.
  • Evgeniy N. Bormontov Бормонтов Евгений Николаевич — д.ф.-м.н., профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2208633, e-mail: plphys@main. vsu.ru
Ключевые слова: спин, кластеры, магнитный момент, энергия кластеризации.

Аннотация

Методом теории функционала плотности проведены спин-поляризованные расчеты электронной структуры кластеров, образующихся в CuGaS2, со структурой халькопирита при легировании Mn, Fe или Co. Установлено, что наиболее энергетически выгодно образование димеров 3d-металлов, связанных через анион халькогена. Энергия связи в кластерах для каждого из типов замещения растет в ряду от Mn к Co. Максимальный эффективный магнитный момент mэфф = 5.92 mB имеет кластер с одинарным замещением Ga на Co, минимальный mэфф = 1.94 mB /Fe — с одновременным замещением Ga и Cu на Fe.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Кусраев Ю. Г. // УФН. 2010. Т. 180. Вып. 7. С. 759—773.
2. Захарченя Б. П., Коренев В. Л. // УФН. 2005. Т. 175. Вып. 6. С. 629—635.
3. Zhao Y.-J. and Zunger A. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. № 10. P. 104422(8).
4. Шабунина Г. Г., Ефимов Н. Н., Аминов Т. Г. // Хим. и Хим. Тех. 2011. Т. 54. Вып. 12. С. 62—65.
5. Ефимов Н. Н., Шабунина Г. Г., Битюцкая Л. А. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2009. Т. 11. № 1. С. 47—52.
6. Тучин А. В., Ефимов Н. Н. // Материалы XII Международная конференция «Информатика: проблемы, методология, технологии». Воронеж, 2012. Т1. С. 402—404.
7. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников. Т 1./ Пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. Воронеж: «Водолей», 2004. 982с.
8. Мурашов С. В., Яржемский В. Г., Нефедов В. И. // Журн. Неорг. Химии // 2007. Т. 52. Вып. 8. С. 1327—1331.
9. Кон В. // УФН. 2002. Т.173. Вып. 3. С.336—348.
10. Попл Джон А. // УФН. 2002. Т. 172. Вып. 3. С. 349—356.
Опубликован
2012-03-01
Как цитировать
Tuchin, A. V., Yefimov, N. N., Bityutskaya, L. A., & Bormontov, E. N. (2012). ВЛИЯНИЕ 3d-МЕТАЛЛОВ НА КЛАСТЕРИЗАЦИЮ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ CuGaS2 (Mn, Fe, Co). Конденсированные среды и межфазные границы, 14(1), 96-99. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/953
Раздел
Статьи