STRUCTURE AND ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF VANADIUM OXIDES FILMS ON Si-SUBSTRATES PREPARED BY SOL-GEL METHOD
Abstract
Высокоупорядоченные пленки оксидов ванадия с металлическим и полупроводниковым характером проводимости на подложках монокристаллического кремния с термическим слоем диоксида кремния и без него синтезированы золь-гель методом из растворов
триэтоксиванадила VO(OEt)3 в новом растворителе — метилцеллозольве СН3ОСН2СН2ОН. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики полученных МОП структур. Исследовано влияние освещения на их электрическую емкость.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл — полупроводник и его применение. Л.: Наука. Ленингр. отд-ние, 1979. 183 с.
2. Мотт Н. Ф. Переходы металл — изолятор. М.: Наука, 1979. 344 с.
3. Maekawa S., Tohyama T., Barnes S. E., et al. Physics of Transition Metal Oxides. Series: Springer Series in Solid-State Sciences, 2004. V. 144. 337 p.
4. Pergament A. L., Velichko A. A., Berezina O.Ya., et al. // J. Phys. Condens. Matter. 2008. V. 20. № 42. P. 422—424.
5. Тутов Е. А., Рябцев С. В., Тутов Е. Е. и др. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 12. С. 65—68.
6. Ковтонюк Н. Ф., Сальников Е. Н. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений. М.: Радио и связь, 1990. 160 с.
7. Tutov E. A., Baev A. A., Ryabtsev S. V., et al. // Thin Solid Films. 1997. V. 296. P. 184—187.
8. Tutov E. A., Baev A. A. // Applied Surface Science. 1995. V. 90. P. 303—308.
9. Роках А. Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та, 1984. 158 с.
2. Мотт Н. Ф. Переходы металл — изолятор. М.: Наука, 1979. 344 с.
3. Maekawa S., Tohyama T., Barnes S. E., et al. Physics of Transition Metal Oxides. Series: Springer Series in Solid-State Sciences, 2004. V. 144. 337 p.
4. Pergament A. L., Velichko A. A., Berezina O.Ya., et al. // J. Phys. Condens. Matter. 2008. V. 20. № 42. P. 422—424.
5. Тутов Е. А., Рябцев С. В., Тутов Е. Е. и др. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 12. С. 65—68.
6. Ковтонюк Н. Ф., Сальников Е. Н. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений. М.: Радио и связь, 1990. 160 с.
7. Tutov E. A., Baev A. A., Ryabtsev S. V., et al. // Thin Solid Films. 1997. V. 296. P. 184—187.
8. Tutov E. A., Baev A. A. // Applied Surface Science. 1995. V. 90. P. 303—308.
9. Роках А. Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та, 1984. 158 с.
Published
2011-09-25
How to Cite
Tutov, E. A., Vinichenko, D. A., Tutov, E. E., Al-Khafaji, H., Rumyantseva, N. A., & Zlomanov, V. P. (2011). STRUCTURE AND ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF VANADIUM OXIDES FILMS ON Si-SUBSTRATES PREPARED BY SOL-GEL METHOD. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 13(3), 358-362. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1065
Issue
Section
Статьи
