STRUCTURE AND ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF VANADIUM OXIDES FILMS ON Si-SUBSTRATES PREPARED BY SOL-GEL METHOD
Abstract
Высокоупорядоченные пленки оксидов ванадия с металлическим и полупроводниковым характером проводимости на подложках монокристаллического кремния с термическим слоем диоксида кремния и без него синтезированы золь-гель методом из растворов
триэтоксиванадила VO(OEt)3 в новом растворителе — метилцеллозольве СН3ОСН2СН2ОН. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики полученных МОП структур. Исследовано влияние освещения на их электрическую емкость.
Downloads
References
1. Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл — полупроводник и его применение. Л.: Наука. Ленингр. отд-ние, 1979. 183 с.
2. Мотт Н. Ф. Переходы металл — изолятор. М.: Наука, 1979. 344 с.
3. Maekawa S., Tohyama T., Barnes S. E., et al. Physics of Transition Metal Oxides. Series: Springer Series in Solid-State Sciences, 2004. V. 144. 337 p.
4. Pergament A. L., Velichko A. A., Berezina O.Ya., et al. // J. Phys. Condens. Matter. 2008. V. 20. № 42. P. 422—424.
5. Тутов Е. А., Рябцев С. В., Тутов Е. Е. и др. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 12. С. 65—68.
6. Ковтонюк Н. Ф., Сальников Е. Н. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений. М.: Радио и связь, 1990. 160 с.
7. Tutov E. A., Baev A. A., Ryabtsev S. V., et al. // Thin Solid Films. 1997. V. 296. P. 184—187.
8. Tutov E. A., Baev A. A. // Applied Surface Science. 1995. V. 90. P. 303—308.
9. Роках А. Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та, 1984. 158 с.
2. Мотт Н. Ф. Переходы металл — изолятор. М.: Наука, 1979. 344 с.
3. Maekawa S., Tohyama T., Barnes S. E., et al. Physics of Transition Metal Oxides. Series: Springer Series in Solid-State Sciences, 2004. V. 144. 337 p.
4. Pergament A. L., Velichko A. A., Berezina O.Ya., et al. // J. Phys. Condens. Matter. 2008. V. 20. № 42. P. 422—424.
5. Тутов Е. А., Рябцев С. В., Тутов Е. Е. и др. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 12. С. 65—68.
6. Ковтонюк Н. Ф., Сальников Е. Н. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений. М.: Радио и связь, 1990. 160 с.
7. Tutov E. A., Baev A. A., Ryabtsev S. V., et al. // Thin Solid Films. 1997. V. 296. P. 184—187.
8. Tutov E. A., Baev A. A. // Applied Surface Science. 1995. V. 90. P. 303—308.
9. Роках А. Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та, 1984. 158 с.
Published
2011-09-25
How to Cite
Tutov, E. A., Vinichenko, D. A., Tutov, E. E., Al-Khafaji, H., Rumyantseva, N. A., & Zlomanov, V. P. (2011). STRUCTURE AND ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF VANADIUM OXIDES FILMS ON Si-SUBSTRATES PREPARED BY SOL-GEL METHOD. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 13(3), 358-362. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1065
Issue
Section
Статьи
