THE DISLOCATION DENSITY IN PbTe FILMS ON Si (100) AND BaF2 (100) SUBSTRATES PREPARED BY MODIFIED "HOT WALL" TECHNIQUE
Keywords:
дислокация, кристаллическая структура, теллурид свинца, кремний, фторид бария, гетероэпитаксия из паровой фазы, гетероструктуры, метод «фигур травления», рентге- нографический анализ.Abstract
Цель работы заключается в сравнительном изучении влияния степени структурного совершенства подложек Si (100) и BaF2 (100) и качества их предэпитаксиальной подготовки на величину скалярной плотности дислокаций в пленках PbTe, синтезированных модифицированным методом «горячей стенки» при одинаковых технологических режимах. Установлено, что величина плотности дислокаций зависит, главным образом, от степени структурного совершенства кристаллической структуры подложки и от величины несоответствия периодов идентичности. Качество предэпитаксиальной подготовки влияет на величину плотности дислокаций только для подложек из одного и того же материала. Выдвинуто предположение относительно механизмов роста пленок PbTe на подложках Si (100) и BaF2 (100).
