THE DISLOCATION DENSITY IN PbTe FILMS ON Si (100) AND BaF2 (100) SUBSTRATES PREPARED BY MODIFIED "HOT WALL" TECHNIQUE

  • Alexander M. Samoylov Dr. Sci. (Chem.), Professor of the Department of Materials Science and Industry of Nanosystems, Voronezh State University; tel.: (4732) 596515, e-mail: samoylov@chem.vsu.ru
  • Sergey V. Belenko postgraduate student of the Department of Materials Science and Industry of Nanosystems, Voronezh State University
  • Boris A. Siradze postgraduate student of the Department of Materials Science and Industry of Nanosystems, Voronezh State University
  • Anton S. Toreev student of the Department of Materials Science and Industry of Nanosystems, Voronezh State University
  • Alexey I. Dontsov postgraduate student of the Department of Materials Science and Industry of Nanosystems, Voronezh State University
  • Irina V. Filonova undergraduate of the Department of Materials Science and Industry of Nanosystems, Voronezh State University

Abstract

Цель работы заключается в сравнительном изучении влияния степени структурного совершенства подложек Si (100) и BaF2 (100) и качества их предэпитаксиальной подготовки на величину скалярной плотности дислокаций в пленках PbTe, синтезированных модифицированным методом «горячей стенки» при одинаковых технологических режимах. Установлено, что величина плотности дислокаций зависит, главным образом, от степени структурного совершенства кристаллической структуры подложки и от величины несоответствия периодов идентичности. Качество предэпитаксиальной подготовки влияет на величину плотности дислокаций только для подложек из одного и того же материала. Выдвинуто предположение относительно механизмов роста пленок PbTe на подложках Si (100) и BaF2 (100).

Downloads

Download data is not yet available.

References

1. Lead Chalcogenides: Physics and Applications / Ed. D. Khohlov. New York: Gordon & Breach, 2002. 687 p.
2. Mukherjee S. et al. // Transworld Research Network: Kerala, India, 2010. 88 p.
3. Зимин С.П., Горлачев Е.С. Наноструктурированные халькогениды свинца. Ярославль: Изд-во ЯрГУ, 2011. 232 с.
4. Zogg H., Fach A., Maissen C. et al. // Optical Engineering. 1994. V. 33. № 5. P. 1440—1449.
5. Иевлев В. М. Тонкие пленки неорганических материалов: механизмы роста и структура. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2008. 496 с.
6. Zogg H. et al. // J. of Electronic Materials. 2008. V. 37. № 9. P. 1497—1503.
7. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. М.: Металлургия, 1974. 528 с.
8. JCPDS — International Centre for Diffraction Data [Электронные ресурсы]. 1987—2008. JCPDS-ICDD. Newtown Square, PA 19073. USA.
9. Карасевская О. П. и др. // Заводская лаборатория. 1995. № 3. С. 18—20.
10. Кривоглаз М.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука. 1967. 325 c.
11. Ugai Ya. A., Samoylov A. M. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 336. P. 196—200.
12. Уманский Я. С. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 432 c.
13. Handbook of semiconductor technology: / ed. K. A. Johnson and W. Schrötter. Weinheim — New York — London.: Wiley VCH, 2001. V. 2. 764 p.
14. Свешникова Л.Л. Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов для дифторида бария. Авторское свидетельство № 1281085, 1.09.1986 г.
15. Бестаев М.В. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. № 8. С. 980—982.
Published
2013-09-27
How to Cite
Samoylov, A. M., Belenko, S. V., Siradze, B. A., Toreev, A. S., Dontsov, A. I., & Filonova, I. V. (2013). THE DISLOCATION DENSITY IN PbTe FILMS ON Si (100) AND BaF2 (100) SUBSTRATES PREPARED BY MODIFIED "HOT WALL" TECHNIQUE. Condensed Matter and Interphases, 15(3), 322-331. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/915
Section
Статьи