СИСТЕМА Ge – Sn – As

Galina V. Semenova; Tatyana P. Sushkova; Elena U. Kononova

Authors

Galina V. Semenova Dr. Sci. (Chem.), Professor, Department of the General and Inorganic Chemistry, Voronezh State University; tel.: (473) 2208610, e-mail: semen157@ chem.vsu.ru
Tatyana P. Sushkova Cand. Sci. (Chem.), Associate Professor, Department of the General and Inorganic Chemistry, Voronezh State University; tel.: (473) 2208610, e-mail: semen157@chem.vsu.ru
Elena U. Kononova postgraduate student, Department of the General and Inorganic Chemistry, Voronezh State University; tel.: (473) 2208610, e-mail: semen157@ chem.vsu.ru

Keywords:

фазовая диаграмма, арсенид германия, арсениды олова.

Abstract

По результатам рентгенофазового и дифференциально-термического анализа построены Т — х диаграммы политермических разрезов GeAs–SnAs и GeAs–Sn4As3 системы Ge–Sn–As. Установлено, что разрез GeAs–Sn4As3 не является квазибинарным, четырехфазное
перитектическое превращение L+ SnAs ↔ GeAs + Sn4As3 реализуется при температуре 830 К. Квазибинарное сечение GeAs–SnAs представляет фазовую диаграмму эвтектического типа с координатами эвтектической точки 840 К и 20 мол.% GeAs.