ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СТРУКТУР AlN/GaAs(100) ДИФРАКЦИОННЫМИ И СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Халид Махди Таджил Аль Аридх; Павел Владимирович Середин; Вера Евгеньевна Терновая; Дмитрий Леонидович Голощапов; Анатолий Николаевич Лукин; Александр Викторович Федюкин; Иван Никитич Арсентьев; Александр Дмитриевич Бондарев; Ярослав Валерьевич Лубянский

Authors

Халид Махди Таджил Аль Аридх
Павел Владимирович Середин
Вера Евгеньевна Терновая
Дмитрий Леонидович Голощапов
Анатолий Николаевич Лукин
Александр Викторович Федюкин
Иван Никитич Арсентьев
Александр Дмитриевич Бондарев
Ярослав Валерьевич Лубянский

Keywords:

нитрид алюминия, реактивное ионно-плазменное распыление, арсенид галлия

Abstract

Методами структурного анализа и оптической спектроскопии были исследованы свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs. Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs(100) может быть достигнуто за счет использования подложек GaAs(100) с отклонением 4° к [110].