ОСЦИЛЛЯЦИИ МЕЖСЛОЕВЫХ РАССТОЯНИЙ В МУЛЬТИГРАФЕНЕ

Andrey V. Tuchin; Anna M. Bokova; Larisa A. Bityutskaya; Evgeniy N. Bormontov

Authors

Andrey V. Tuchin
Anna M. Bokova
Larisa A. Bityutskaya
Evgeniy N. Bormontov

Keywords:

мультиграфен; межслоевое расстояние; энергия связи; теория функциона- ла плотности; осцилляции.

Abstract

При исследовании электронной структуры мультиграфена методом теории функ-
ционала плотности определены зависимости межслоевого расстояния и энергии связи от
числа слоев (n=2÷6). Показано, что увеличение числа слоев в мультиграфене сопровождается
его стабилизацией и уменьшением усредненного межслоевого расстояния. Обнаружена ос-
цилляция межслоевых расстояний в соседних слоях мультиграфена c n>3.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Andrey V. Tuchin

postgraduate student of the Physics of Semiconductors and Microelectronics Chair, Voronezh
State University; tel.: (908) 1485775, e-mail: a.tuchin@bk.ru
Anna M. Bokova

undergraduate student of the Physics of Semiconductors and Microelectronics Chair, Voronezh
State University; tel.: (908) 1417525, e-mail: an4ik-nanotex@mail.ru
Larisa A. Bityutskaya

Cand. Sci. (Chem.), Associate Professor, Physics of Semiconductors and Microelectronics Chair, Voronezh State University; e-mail: me144@phys.vsu.ru
Evgeniy N. Bormontov

Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor, Head of the Physics of Semiconductors and Microelectronics
Chair, Voronezh State University; e-mail;me144@phys.vsu.ru