SUBMICRON Ni RODS MASSIVES DISTRIBUTED IN SILICON DIOXIDE MATRIX MICROSCOPIC CHARACTERIZATION
Keywords:
магнитные материалы, трековая технология, растровая электронная микроскопия, атомно-с иловая микроскопия и фотоэмисс ионная электронная микроскопия.Abstract
Масс ивы столбиков Ni диаметром ~ 500 нм в матрице SiO2, сформированных при помощи трековой технологии, исс ледовались методами растровой электронной микроскопии, атомно-с иловой микроскопии и фотоэмисс ионной электронной микроскопии с использованием выс окоинтенсивного синхротронного излучения. Показано, что с применением технологии темплатно-асс истированного синтеза на основе электрохимического осаждения металлического никеля, столбики металла формируются случайным образом и преимущественно группами, внутри которых они в основном соединены тонкими перегородками шириной ~ 50 нм. Формирование столбиков также сопровождается образованием «шляпки», отстоящей от поверхности матрицы диоксида кремния. Получены микроскопические данные по распределению остаточной намагниченности.
