ВЫСОКОСИММЕТРИЧНЫЕ КУБИЧЕСКИЕ МОДИФИКАЦИИ In2Se3 И Ga2Se3, ПОЛУЧЕННЫЕ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПОДЛОЖЕК InAs И GaAs С СЕЛЕНОМ

Alexander V. Budanov; Evgeniy A. Tatokhin; Vladimir D. Strygin; Evgeniy V. Rudnev

Authors

Alexander V. Budanov associate professor of department of Physics, Voronezh State University of Engineering Technology; tel.: (903) 8527719, e-mail: budanova9@gmail. com
Evgeniy A. Tatokhin associate professor of department of Physics, Voronezh State University of Engineering Technology; e-mail: phys@vgta.vrn.ru
Vladimir D. Strygin professor of department of Physics, Voronezh State University of Engineering Technology; tel.: (909) 2106999, e-mail: phys@vgta.vrn.ru
Evgeniy V. Rudnev associate professor of department of Solid State Physics and Nanostructures, Voronezh State University; tel.: (951) 8764844, e-mail: rudneff@mail.ru

Keywords:

высокосимметричные кубические модификации, сканирующая электронная микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ.

Abstract

Методами электронографии, сканирующей электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы модификации Ga2Se3 и In2Se3, полученные методом гетеровалентного замещения в процессе термического отжига монокристаллических подложек арсенидов галлия и индия в парах селена в квазизамкнутом объеме. Впервые было обнаружено существование кубических фаз In2Se3 (a0 = 1,1243 нм и a0 = 1,6890 нм) и Ga2Se3 (a0 = 1,0893 нм и a0 = 1,6293 нм).