СИСТЕМА Ge – Sn – As

Galina V. Semenova; Tatyana P. Sushkova; Elena U. Kononova

Авторы

Galina V. Semenova Семенова Галина Владимировна — д. х. н., профессор кафедры общей и неорганической химии, Воронеж- ский государственный университет; тел.: (473) 2208610, e-mail: semen157@chem.vsu.ru
Tatyana P. Sushkova Сушкова Татьяна Павловна — к. х. н., доцент кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2208610, e-mail: semen157@chem.vsu.ru
Elena U. Kononova Кононова Елена Юрьевна — аспирант кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2208610, e-mail: semen157@chem.vsu.ru

Ключевые слова:

фазовая диаграмма, арсенид германия, арсениды олова.

Аннотация

По результатам рентгенофазового и дифференциально-термического анализа построены Т — х диаграммы политермических разрезов GeAs–SnAs и GeAs–Sn4As3 системы Ge–Sn–As. Установлено, что разрез GeAs–Sn4As3 не является квазибинарным, четырехфазное
перитектическое превращение L+ SnAs ↔ GeAs + Sn4As3 реализуется при температуре 830 К. Квазибинарное сечение GeAs–SnAs представляет фазовую диаграмму эвтектического типа с координатами эвтектической точки 840 К и 20 мол.% GeAs.