ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР GaAs:Cr МЕТОДАМИ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ И РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Авторы

  • Александр Викторович Федюкин
  • Павел Владимирович Середин
  • Виктор Николаевич Фёклин
  • Иван Никитич Арсентьев
  • Leiste Harald

Ключевые слова:

GaAs, хром, легирование

Аннотация

Диффузия хрома в монокристаллические подложки GaAs(100) приводит к образованию переходного слоя GaAs:Cr. Легированный хромом слой GaAs имеет n-тип проводимости, но при этом обладает пониженной по сравнению с подложкой концентрацию электронов. При этом атомы хрома встраиваются в кристаллическую решетку арсенида галлия и занимают регулярные позиции атомов металлической подрешетки. Увеличение времени диффузии хрома в GaAs уменьшает количество поверхностных дефектов.

Скачивания

Данные по скачиваниям пока не доступны.

Библиографические ссылки

Загрузки

Опубликован

2015-12-25

Выпуск

Раздел

Статьи

Как цитировать

ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР GaAs:Cr МЕТОДАМИ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ И РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ. (2015). Конденсированные среды и межфазные границы, 17(4), 518-525. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/97

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

<< < 1 2