ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЗАРЯДА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Alx Ga1-xAs: C/GaAs (100)
Abstract
Структурными и спектроскопическими методами нами были изучены МОС- гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе твердых растворов Alx Ga1-xAs с n-типом проводимости. Показано, что при легировании твердых растворов Alx Ga1-xAs углеродом на уровне 1.2—6.7·1017 см–3 величина подвижности электронов оказалась аномально высокой для данной концентрации примеси и превосходила расчетную величину в два раза. Высказано предположение, что упорядоченное расположение углерода в металлической подрешетке твердого раствора приводит к изменению среднего расстояния между ионами примеси, т. е. к увеличению длины свободного пробега носителя заряда, а, следовательно, и величины под‑ вижности носителей.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Alamo del Jesús A. // Nature, 2011, vol. 479, p. 317. DOI:10.1038/nature10677
2. Sahoo N. and Sahu T. // J. Appl. Phys., 2014, vol. 116, p. 043703. http://dx.doi.org/10.1063/1.4891260
3. Ketterer Bernt, Uccelli Emanuele and i Morral Anna Fontcuberta. // Nanoscale, 2012, vol. 4, p. 1789. DOI: 10.1039/C2NR11910B
Seredin P.V., Glotov A.V., Domashevskaya E.P., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S. // Appl. Surf. Sci., 2013, vol. 267, p. 181. DOI:10.1016/j.apsusc.2012.09.053
Seredin P.V., Glotov A.V., Domashevskaya E.P., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., and Tarasov I.S. // Physica B: Condensed Matter., 2010, vol. 405, no. 12, p. 2694 DOI:10.1016/j.physb.2010.03.049
Timo G., Flores C., Campesato R. // Cryst. Res. Technol., 2005, vol. 40, p. 1043 DOI:10.1002/crat.200410483
Seredin P.V., Domashevskaya E.P., Ternovaya V. E., Arsent’ev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S., Prutskij T. // Physics of the Solid State, 2013, vol. 55, no. 10, p. 2169. DOI:10.1134/S1063783413100302
Seredin P.V., Ternovaya V.E., Glotov A.V., Len’shin A.S., Arsent’ev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S., Leiste H., and Prutskij T. // Phys. Solid State, 2013, vol. 55, p. 2161. DOI:10.1134/S1063783413100296
Mimila-Arroyo J., Bland S.W. // Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 77, p. 1164. DOI:10.1063/1.1289268
Monier C., Baca A.G., Sun S.Z., Armour E., Newman F. and Hou H.Q. // Appl. Phys. Lett., 2002, vol. 81, p. 2103. http://dx.doi.org/10.1063/1.1506406
Takamoto T., Agui T., Ikeda E. Kurita H. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells., 2001, vol. 66, p. 511. doi:10.1016/S0927-0248(00)00213-0
Seredin P.V., Domashevskaya E.P., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Stankevich A.L. // Semiconductors, 2013, vol. 47, no 1, p. 7. DOI:10.1134/S1063782613010211
Razeghi Manijeh. The MOCVD Challenge: A survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications, Second Edition. August 17, 2010 by CRC Press.
Jena Debdeep and Konar Aniruddha. // Phys. Rev. Lett., 2007, vol. 98, p. 136805. DOI:10.1103/PhysRevLett.98.136805
Adachi Sadao, Capper Peter, Kasap Safa, Willoughby Arthur. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. Wiley. 2009.
Díaz-Reyes J., Castillo-Ojeda R., Galván-Arellano M. and Peña-Sierra R.// Superficies y Vacío, 2002, vol. 15, p. 22. http://www.fis.cinvestav.mx/~smcsyv/supyvac/15/sv152202.PDF
Umansky V., de-Picciotto R. and Heiblum M. // Appl. Phys. Lett., 1997, vol. 71, no. 5, p.683. http://dx.doi.org/10.1063/1.119829
Bosc F., Sicart J. and Robert J. L. // Semicond. Sci. Technol., 1999, vol. 14, pp. 64-69. Available at: http://iopscience.iop.org/0268-1242/14/1/008/pdf/0268-1242_14_1_008.pdf
Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin A.N., Bityutskaya L.A., Grechkina M.V., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S. // Surface and Interface Analysis, 2006, vol. 38, no. 4, pp. 828-832. DOI:10.1002/sia.2306
Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V. E., Domashevskaya E. P., Arsentyev I. N.,. Vinokurov D. A, Stankevich A. L., Tarasov I. S. // Semiconductors, 2011, vol. 45, no. 4, pp.481-492. DOI:10.1134/S106378261104021X
Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., Lenshin A. S., Smirnov M. S., Arsentyev I. N., Vinokurov D. A., Stankevich A. L., Tarasov I. S. // Semiconductors, 2012, vol. 46, no. 6, pp. 719-729. DOI:10.1134/S106378261206019X
Goldberg Yu.A. Handbook Series on Semiconductor Parameters. ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, London, World Scientific, 1999, vol. 2, p. 1.
Seredin P.V., Glotov A.V., Lenshin A.S., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Prutskij Tatiana, Leiste Harald, Rinke Monica. // Semiconductors, 2014, vol. 48, no. 1, p. 21. DOI:10.1134/S1063782614010217
Hiroshi I., Osaake N., Tadao I. // Appl. Phys. Lett., 1993, vol. 62, p. 2099. http://dx.doi.org/10.1063/1.109491
Schmidt T M, Venezuela P. P. M., Caldas M J, Fazzio A. // Appl. Phys. Lett., 1995, vol. 66, p. 2715. http://dx.doi.org/10.1063/1.113498
Kouta Tateno, Chikara Amano. // J. Crystal Growth, 1997, vol. 181, pp. 33-40. DOI:10.1016/S0022-0248(97)00218-2
Davidson B. R., Hart L., Newman R. C., Joyce T. B., Bullough T. J., Button C. C. // J. of Materials Science: Materials in Electronics, 1996, vol. 7, no. 5, pp 355-360. DOI:10.1007/BF00185930
Watanabe K. and Yamazaki H. // Appl. Phys. Lett., 1991, vol. 59, no. 4, p. 434. http://dx.doi.org/10.1063/1.105454
de Lyon T. J., Woodall J. M., Goorsky M. S., and Kirchner P. D. // Appl. Phys. Lett., 1990, vol. 56, no. 11, p. 1040. http://dx.doi.org/10.1063/1.102608
Abernathy C. R., Pearton S. J., Caruso R., Ren F., and Kovalchik J. // Appl. Phys. Lett., 1989, vol. 55, no. 17. p. 1750. http://dx.doi.org/10.1063/1.102206
The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Nanophysics and Applications. Series: Graduate Texts in Physics. Grundmann, Marius. 2nd ed. 2010, XXXVII, 864 p.
Physics of Semiconductors (ed 4) / Fizika poluprovodnikov (izd 4) (in Russ.) Hardcover, 2010, by Shalimova K.V. Available at: http://www.amazon.co.uk/Physics-Semiconductors-Fizika-poluprovodnikov-izd/dp/5811409222
2. Sahoo N. and Sahu T. // J. Appl. Phys., 2014, vol. 116, p. 043703. http://dx.doi.org/10.1063/1.4891260
3. Ketterer Bernt, Uccelli Emanuele and i Morral Anna Fontcuberta. // Nanoscale, 2012, vol. 4, p. 1789. DOI: 10.1039/C2NR11910B
Seredin P.V., Glotov A.V., Domashevskaya E.P., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S. // Appl. Surf. Sci., 2013, vol. 267, p. 181. DOI:10.1016/j.apsusc.2012.09.053
Seredin P.V., Glotov A.V., Domashevskaya E.P., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., and Tarasov I.S. // Physica B: Condensed Matter., 2010, vol. 405, no. 12, p. 2694 DOI:10.1016/j.physb.2010.03.049
Timo G., Flores C., Campesato R. // Cryst. Res. Technol., 2005, vol. 40, p. 1043 DOI:10.1002/crat.200410483
Seredin P.V., Domashevskaya E.P., Ternovaya V. E., Arsent’ev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S., Prutskij T. // Physics of the Solid State, 2013, vol. 55, no. 10, p. 2169. DOI:10.1134/S1063783413100302
Seredin P.V., Ternovaya V.E., Glotov A.V., Len’shin A.S., Arsent’ev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S., Leiste H., and Prutskij T. // Phys. Solid State, 2013, vol. 55, p. 2161. DOI:10.1134/S1063783413100296
Mimila-Arroyo J., Bland S.W. // Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 77, p. 1164. DOI:10.1063/1.1289268
Monier C., Baca A.G., Sun S.Z., Armour E., Newman F. and Hou H.Q. // Appl. Phys. Lett., 2002, vol. 81, p. 2103. http://dx.doi.org/10.1063/1.1506406
Takamoto T., Agui T., Ikeda E. Kurita H. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells., 2001, vol. 66, p. 511. doi:10.1016/S0927-0248(00)00213-0
Seredin P.V., Domashevskaya E.P., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Stankevich A.L. // Semiconductors, 2013, vol. 47, no 1, p. 7. DOI:10.1134/S1063782613010211
Razeghi Manijeh. The MOCVD Challenge: A survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications, Second Edition. August 17, 2010 by CRC Press.
Jena Debdeep and Konar Aniruddha. // Phys. Rev. Lett., 2007, vol. 98, p. 136805. DOI:10.1103/PhysRevLett.98.136805
Adachi Sadao, Capper Peter, Kasap Safa, Willoughby Arthur. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. Wiley. 2009.
Díaz-Reyes J., Castillo-Ojeda R., Galván-Arellano M. and Peña-Sierra R.// Superficies y Vacío, 2002, vol. 15, p. 22. http://www.fis.cinvestav.mx/~smcsyv/supyvac/15/sv152202.PDF
Umansky V., de-Picciotto R. and Heiblum M. // Appl. Phys. Lett., 1997, vol. 71, no. 5, p.683. http://dx.doi.org/10.1063/1.119829
Bosc F., Sicart J. and Robert J. L. // Semicond. Sci. Technol., 1999, vol. 14, pp. 64-69. Available at: http://iopscience.iop.org/0268-1242/14/1/008/pdf/0268-1242_14_1_008.pdf
Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin A.N., Bityutskaya L.A., Grechkina M.V., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Tarasov I.S. // Surface and Interface Analysis, 2006, vol. 38, no. 4, pp. 828-832. DOI:10.1002/sia.2306
Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V. E., Domashevskaya E. P., Arsentyev I. N.,. Vinokurov D. A, Stankevich A. L., Tarasov I. S. // Semiconductors, 2011, vol. 45, no. 4, pp.481-492. DOI:10.1134/S106378261104021X
Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., Lenshin A. S., Smirnov M. S., Arsentyev I. N., Vinokurov D. A., Stankevich A. L., Tarasov I. S. // Semiconductors, 2012, vol. 46, no. 6, pp. 719-729. DOI:10.1134/S106378261206019X
Goldberg Yu.A. Handbook Series on Semiconductor Parameters. ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, London, World Scientific, 1999, vol. 2, p. 1.
Seredin P.V., Glotov A.V., Lenshin A.S., Arsentyev I.N., Vinokurov D.A., Prutskij Tatiana, Leiste Harald, Rinke Monica. // Semiconductors, 2014, vol. 48, no. 1, p. 21. DOI:10.1134/S1063782614010217
Hiroshi I., Osaake N., Tadao I. // Appl. Phys. Lett., 1993, vol. 62, p. 2099. http://dx.doi.org/10.1063/1.109491
Schmidt T M, Venezuela P. P. M., Caldas M J, Fazzio A. // Appl. Phys. Lett., 1995, vol. 66, p. 2715. http://dx.doi.org/10.1063/1.113498
Kouta Tateno, Chikara Amano. // J. Crystal Growth, 1997, vol. 181, pp. 33-40. DOI:10.1016/S0022-0248(97)00218-2
Davidson B. R., Hart L., Newman R. C., Joyce T. B., Bullough T. J., Button C. C. // J. of Materials Science: Materials in Electronics, 1996, vol. 7, no. 5, pp 355-360. DOI:10.1007/BF00185930
Watanabe K. and Yamazaki H. // Appl. Phys. Lett., 1991, vol. 59, no. 4, p. 434. http://dx.doi.org/10.1063/1.105454
de Lyon T. J., Woodall J. M., Goorsky M. S., and Kirchner P. D. // Appl. Phys. Lett., 1990, vol. 56, no. 11, p. 1040. http://dx.doi.org/10.1063/1.102608
Abernathy C. R., Pearton S. J., Caruso R., Ren F., and Kovalchik J. // Appl. Phys. Lett., 1989, vol. 55, no. 17. p. 1750. http://dx.doi.org/10.1063/1.102206
The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Nanophysics and Applications. Series: Graduate Texts in Physics. Grundmann, Marius. 2nd ed. 2010, XXXVII, 864 p.
Physics of Semiconductors (ed 4) / Fizika poluprovodnikov (izd 4) (in Russ.) Hardcover, 2010, by Shalimova K.V. Available at: http://www.amazon.co.uk/Physics-Semiconductors-Fizika-poluprovodnikov-izd/dp/5811409222
Published
2015-03-15
How to Cite
Леньшин, А. С., Середин, П. В., Терновая, В. Е., Арсентьев, И. Н., & Prutskij, T. (2015). ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЗАРЯДА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Alx Ga1-xAs: C/GaAs (100). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 17(1), 16-23. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/248
Issue
Section
Статьи
