ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЗАРЯДА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Alx Ga1-xAs: C/GaAs (100)

Abstract

Структурными и спектроскопическими методами нами были изучены МОС- гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе твердых растворов Alx Ga1-xAs с n-типом проводимости. Показано, что при легировании твердых растворов Alx Ga1-xAs углеродом на уровне 1.2—6.7·1017 см–3 величина подвижности электронов оказалась аномально высокой для данной концентрации примеси и превосходила расчетную величину в два раза. Высказано предположение, что упорядоченное расположение углерода в металлической подрешетке твердого раствора приводит к изменению среднего расстояния между ионами примеси, т. е. к увеличению длины свободного пробега носителя заряда, а, следовательно, и величины под‑ вижности носителей.