ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОСАЖДЕНИЯ НА СОСТАВ И СТРУКТУРУ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ
Ключевые слова:
карбид кремния, тонкие пленки, структура, состав, хлорсодержащие крем- нийорганические соединения.
Аннотация
Исследованы пленки карбида кремния, синтезированные в реакторах с горячей и холодной стенками методом химического осаждения из парогазовой смеси, содержащей кремнийорганические соединения ((CH3)3SiCl, (CH3)2SiCl2, CH3SiCl3) в водороде. Установлено,
что при температурах осаждения в области 900 °C происходит изменение структуры пленки карбида кремния от аморфной до аморфно-кристаллической. При температурах синтеза до 900 °C повышение концентрации водорода в парогазовой смеси ведет к увеличению его концентрации в пленке. Использование дополнительной термической активации парогазовой смеси (реализация процесса в реакторе с горячей стенкой) позволяет снизить температуру синтеза с 950 °C до 700 °C.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Атажанов Ш. Р., Атажанова Л. В. // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. III Международная конференция. Ставрополь: СевКавГ- ТУ, 2003. C. 212—216.
2. Синельников Б. М., Тарала В. А., Саутиев А. Б. и др. // Вестник Северо-Кавказского технического университета. 2007. Т. 10. № 1. С. 13—15.
3. Ikoma Y., Endo T., Tada T., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 265—268.
4. Carreno M. N. P., Pereyra I. // Superfi cies y Vacio. 1999. V. 9. P. 119—122.
5. Васин А. В., Русавский А. В., Лысенко В. С. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 5. C. 602—607.
6. Pereyra I., Villacorta C. A., Careno M. N. P. // Brazilian Journal of Physics. 2000. V. 30. № 3. P. 533—540.
7. Harima Hiroshi, Hosoda Toru, Nakashima Shinichi. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 603—606.
8. Feng Z. C., Chua S. J., Shen Z. X., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 660—662.
9. Mestres N., Aisina F., Campos F. J., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 663—666.
10. Casiraghi C., Piazza F., Ferrari A. C., et al. // Diamond & Related Materials. 2005. V. 14. P. 1098—1102.
11. Chen J., Stecki A. J., Loboda M. J. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 273—276.
2. Синельников Б. М., Тарала В. А., Саутиев А. Б. и др. // Вестник Северо-Кавказского технического университета. 2007. Т. 10. № 1. С. 13—15.
3. Ikoma Y., Endo T., Tada T., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 265—268.
4. Carreno M. N. P., Pereyra I. // Superfi cies y Vacio. 1999. V. 9. P. 119—122.
5. Васин А. В., Русавский А. В., Лысенко В. С. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 5. C. 602—607.
6. Pereyra I., Villacorta C. A., Careno M. N. P. // Brazilian Journal of Physics. 2000. V. 30. № 3. P. 533—540.
7. Harima Hiroshi, Hosoda Toru, Nakashima Shinichi. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 603—606.
8. Feng Z. C., Chua S. J., Shen Z. X., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 660—662.
9. Mestres N., Aisina F., Campos F. J., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 663—666.
10. Casiraghi C., Piazza F., Ferrari A. C., et al. // Diamond & Related Materials. 2005. V. 14. P. 1098—1102.
11. Chen J., Stecki A. J., Loboda M. J. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 273—276.
Опубликован
2011-09-25
Как цитировать
Tarala, V. A. (2011). ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОСАЖДЕНИЯ НА СОСТАВ И СТРУКТУРУ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ. Конденсированные среды и межфазные границы, 13(3), 348-357. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1064
Выпуск
Раздел
Статьи
