МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТУННЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНЫХ СТРУКТУРАХ
Аннотация
Выполнена оценка смещений уровней энергетического спектра в прямоугольной квантовой яме с дополнительным провалом, служащая основой при расчетах контрастности вольт-амперных характеристик туннельно-резонансных структур. Показано, что смещения
положений основного и первого возбужденного уровней качественно определяются рельефом и глубиной квантовой ямы.
Скачивания
Литература
2. Ремнев М. А., Катеев И. Ю., Елесин В. Ф. // ФТП. 2010. Т. 44. № 8. С. 1068.
3. Алферов Ж. И. // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 3.
4. Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. М.: Физматкнига, 2006. С. 496.
5. Демиховский В. Я., Вугальтер Г. А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000. C. 248.
6. Дымников В. Д.,. Константинов О. В. // ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 133.
7. Broekaert T. P. E., Lee W., Fonstad C. G. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 16. P. 1545.
8. Абрамов И. И., Новик И. И. // ФТП. 1999. Т. 33. № 11. С. 1388.