ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ GaAs ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ КОМПОЗИЦИЙ Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 И V2O5 С ОКСИДАМИ АЛЮМИНИЯ И ИТТРИЯ

T V. Kozhevnikova; P K. Penskoy; V. F. Kostryukov; I Ya. Mittova; В. L. Agapov; I. V. Kuznetsova; S V. Kutsev

T V. Kozhevnikova Кожевникова Татьяна Викторовна — аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем химического факультета, Воронежский государственный университет; e-mail: kozhevnikova-tv@yandex.ru
P K. Penskoy Пенской Петр Константинович — научный сотрудник кафедры материаловедения и индустрии на- носистем химического факультета, Воронежский государственный университет; e-mail: sad666@hotbox.ru
V. F. Kostryukov Кострюков Виктор Федорович — доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; e-mail: vc@chem. vsu.ru
I Ya. Mittova Миттова Ирина Яковлевна — профессор кафедры материаловедения и индустрии наносистем химическо- го факультета, Воронежский государственный университет, тел.: (4732) 531213, e-mail: imittov@yahoo.co.uk
В. L. Agapov Агапов Борис Львович — сотрудник центра коллективного пользования, Воронежский государственный университет
I. V. Kuznetsova Кузнецова Ирина Владимировна — доцент кафедры общей и неорганической химии, Воронежская государственная технологическая академия; e-mail: kuznetsovaiv@mail.ru
S V. Kutsev Куцев Сергей Викторович — Московский институт стали и сплавов

Ключевые слова: полупроводники, тонкие пленки, окисление, хемостимулятор, нелинейность.

Аннотация

Использование оксидных композиций, состоящих из хемостимулятора (Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2,V2O5) и инертного по отношению к окисляемому полупроводнику оксида (Al2O3, Y2O3) позволило обнаружить линейное изменение толщины оксидного слоя на GaAs в
зависимости от состава композиций, представляющее собой аддитивную прямую. Для композиций с участием Y2O3 эта аддитивность зафиксирована во всем интервале составов. При отсутствии взаимодействий между оксидами в композициях, заключающихся в образовании совместных фаз и твердых растворов, выявлены дополнительные факторы, обусловливающие отклонения от аддитивности. В присутствии Al2O3 изменяется режим собственных превращений оксидов-хемостимуляторов композиции, приводящих, в конечном счете, к изменению характера их воздействия на оксидирование GaAs.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р. // Успехи химии. 1991. Т. 60. Вып. 9. С. 1898—1919.
2. Wilmsen C.W. // Thin Solid Films. 1976. V. 30. № 1—2—3. P. 105—117.
3. Миттова И.Я., Кострюков В.Ф., Пшестанчик В.Р. и др. // Журн. Неорган. химии. 2002. Т. 47. № 6. С. 886—891.
4. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В.Ф. и др. // Журн. Неорган. химии. 2003. Т. 48. № 4. С. 559—562.
5. Миттова И.Я. // Вестник Воронежского государственного университета. Серия химия, биология. 2000. С. 5—12.
6. Миттова И.Я., Лопатин С.И., Пшестанчик В.Р. и др. // Ж. Неорган. Химии. 2005. Т 50. № 10. С. 1599—1602.
7. Пенской П.К. Автореф. дисс… канд. химич. наук. Воронеж, 2009. 191 с.
8. Кольцов С.И., Громов В.К., Рачковский Р.Р. Эллипсометрический метод исследования поверхности твердых веществ. Л.: Наука, 1983. 248 с.
9. Накомото К. ИК-спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1991. 536 с.
10. Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: В 2-х книгах. Пер. с англ. М. Мир, 1984.
11. Уэндландт У. Термические методы анализа. М.: Мир, 1978. 528 с.
12. X-ray diffraction date cards, ASTM.
13. Грег С. Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. Пер. с англ. 2-е изд. М.: Мир, 1984. 306 с.
14. Wagman D.D., Evans W.H., Parker V.B., et al. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1982. V. 11. Suppl. 2. 394 p.
15. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В.Ф. // Докл. РАН 1996. Т. 349. № 5. С. 641—643.
16. Немодрук А.А. Аналитическая химия сурьмы (серия «Аналитическая химия элементов»). М.: Наука, 1978. 223 с.
17.Масленникова Г.И. , Мамаладзе Р.А., Мидзута С. и др. Керамические материалы. 1991. 320 с.
18. Казенас Е.К., Цветков Ю.В. Испарение оксидов М.: Наука, 1997. 543 с.