Формирование гладкого и микропористого подложечного материала на основе ZnO

  • Абубакар Магомедович Исмаилов ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный университет», ул. Гаджиева, 43 А, Махачкала 367000, Республиука Дагестан, Российская Федерация https://orcid.org/0000-0001-6834-0560
  • Арсен Эмирбегович Муслимов ФГБУ НИЦ “Курчатовский институт”, пл. Академика Курчатова, д. 1, Москва 123182, Российская Федерация https://orcid.org/0000-0002-0524-7606
Ключевые слова: оксид цинка, горячая мишень, магнетронное распыление, микропористая структура, подложки, нитридные технологии

Аннотация

Исследовано влияние температуры осаждения на морфологию и структурно-фазовый состав подложечного материала на основе ZnO толщиной свыше 50 мкм при магнетронном распылении горячей керамической мишени.

Показано принципиальное влияние температуры осаждения на скорость роста, морфологию и структурные параметры монокристаллического осадка ZnO. Продемонстрированы сверхвысокие (до 1.5 мкм/мин) скорости осаждения ZnO в режиме распыления горячей керамической мишени. Предложена методика формирования как гладкого, так и микропористого подложечного материала на основе ZnO без использования шаблонных технологий.

Полученные в работе результаты могут найти широкое применение в оптоэлектронике и нитридных технологиях.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Биографии авторов

Абубакар Магомедович Исмаилов, ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный университет», ул. Гаджиева, 43 А, Махачкала 367000, Республиука Дагестан, Российская Федерация

к. ф.-м. н., доцент кафедры физической электроники, Дагестанский государственный университет (Махачкала, Российская Федерация)

Арсен Эмирбегович Муслимов, ФГБУ НИЦ “Курчатовский институт”, пл. Академика Курчатова, д. 1, Москва 123182, Российская Федерация

д. ф.-м. н., в. н. с., ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, (Москва, Российская Федерация)

Литература

Nakamura S., Senoh M., Mukai T. P-GaN/N-InGaN/N-GaN double-heterostructure bluelight-emitting diodes. Japanese Journal of Applied Physics. 1993;32(2,1A/B): 8–11. https://doi.org/10.1143/JJAP.32.L8

Nakamura S., Mukai T., Senoh M. Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes. Applied Physics Letters. 1994; 64(13): 1687–1689. https://doi.org/10.1063/1.111832

Kong X., Qiu Z., Wu L., Lei Y., Chi L. Luminescence properties of green phosphor Ca2Ga2(Ge1-xSix) O7:y%Eu2+ and application. Materials. 2023;16(10): 3671. https://doi.org/10.3390/ma16103671

Wang Q., Xie M., Fang M., … Min X. Synthesis and luminescence properties of a novel green-yellow-emitting phosphor BiOCl:Pr3+ for blue-light-dased w-LEDs. Molecules. 2019;24(7): 1296. https://doi.org/10.3390/molecules24071296

Xu H., Hou X., Chen L., Mei Y., Zhang B. Optical properties of InGaN/GaN QW with the same well-plus-barrier thickness. Crystals. 2022;12(1): 114. https://doi.org/10.3390/cryst12010114

Gu X., Reshchikov M. A., Teke A., … Nause J. GaN epitaxy on thermally treated c-plane bulk ZnO substrates with and Zn faces. Applied Physics Letters. 2004; 84 (13): 2268–2270. https://doi.org/10.1063/1.1690469

Sidelev D. V., Bleykher G. A., Krivobokov V. P., Koishybayeva Z. High-rate magnetron sputtering with hot target. Surface and Coatings Technology. 2016;308: 168–173. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2016.06.096

Komlev A. A., Minzhulina E. A., Smirnov V. V., Shapovalov V. I. Influence of argon pressure and current density on substrate temperature during magnetron sputtering of hot titanium target. Applied Physics A. 2017;124(1): 48. https://doi.org/10.1007/s00339-017-1458-4

Graillot-Vuilecot R., Anne-Lise T., Lecas T., Cachoncinlle C., Millon E., Caillard A. Hot target magnetron sputtering process: effect of infrared radiation on the deposition of titanium and titanium oxide thin films. Vacuum. 2020;181: 109734. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109734

Ismailov A. M., Nikitenko V. A., Rabadanov M. R., Emiraslanova L. L., Aliev I. S., Rabadanov M. K. Sputtering of a hot ceramic target: experiments with ZnO. Vacuum. 2019;168: 108854. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.108854

Tammann G. Die temperatur des beginnsinnerer diffusion in kristallen. Zeitschrift Fur Anorganische Und Allgemeine Chemie. 1926;157(1): 321–325. https://doi.org/10.1002/zaac.19261570123

Kiselev V. F., Kozlov S. N., Zoteev A. V. Osnovy fiziki poverkhnosti tverdogo tela (Fundamentals of Solid Surface Physics). Moscow: MSU Publ., 1999. 294 р. (In Russ.)

Abrahams S. C., Bernstein J. L. Remeasurement of the structure of hexagonal ZnO. Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry.1969;25(7): 1233–1236. https://doi.org/10.1107/S0567740869003876

Peng C.-Y., Tian J.-S., Wang W.-L., Ho Y.-T., Chang L. Morphology evolution of a-plane ZnO films on r-plane sapphire with growth by pulsed laser deposition. Applied Surface Science. 2013;265: 553. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.11.044

Yang W., Wang F., Guan Z., … Fu Y. Comparative study of ZnO thin films grown on quartz glass and sapphire (001) substrates by means of magnetron sputtering and high-temperature annealing. Applied Sciences. 2019;9: 4509. https://doi.org/10.3390/app9214509

Taabouche A., Bouabellou A., Kermiche F., … Amara S. Advances in Materials Physics and Chemistry. 2013;3: 209. https://doi.org/10.4236/ampc.2013.34031

Kozhevnikov I. V., Buzmakov A. V., Siewert F., … Sinn H. Journal of Synchrotron Radiation. 2016;23(1): 78–90. https://doi.org/10.1107/s160057751502202x

Опубликован
2024-07-12
Как цитировать
Исмаилов, А. М., & Муслимов, А. Э. (2024). Формирование гладкого и микропористого подложечного материала на основе ZnO. Конденсированные среды и межфазные границы, 26(3), 440-446. https://doi.org/10.17308/kcmf.2024.26/12219
Раздел
Оригинальные статьи