Выращивание эпитаксиальных слоев гетероструктур InP/InGaAsP на профилированных поверхностях InP методом жидкофазной эпитаксии
Аннотация
Проведено изучение влияния различных плоскостей при выращивании эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на профилированных подложках InP. Исследования позволяют получать зарощенные гетероструктуры в системе InP/InGaAsP и создавать высокоэффективные лазерные диоды и фотоприемники.
Было установлено, что выступающие меза-полоски или углубленные меза-полоски в виде каналов, образованные семейством плоскостей {111}А, {111}B, {110}, {112}A или {221}A, могут быть получены при соответствующем подборе травителя, ориентации полоска и способа получения маскирующего покрытия. Отмечено, что в случае полярности осей в направлении <111> огранка меза-полосков осуществлялась наиболее плотно упакованными плоскостями.
Такая огранка приводила к различию скоростей как химического травления, так и эпитаксиального заращивания профилированных поверхностей. Огранка осуществлялась плоскостями с малой скоростью растворения – {111}A для решетки сфалерита, к которой относится исследуемый материал – фосфид индия. Анализ плоскостей {110} и {Ī10} показал, что расположение наиболее плотно упакованных плоскостей {111}A и {111}B относительно них различно
Скачивания
Литература
Andreev D. S., Boltar K. O., Vlasov P. V., Irodov N. A., Lopuhin A. A. Investigation of planar photodiodes of a focal plane array based on a heteroepitaxial InGaAs/InP structure. Journal of Communications Technology and Electronics. 2016;61(10): 1220–1225. https://doi.org/10.1134/S1064226916100028
Kong J., Ouyang X. W., Zhou A., Yuan L. B. Highly sensitive directional bending sensor based on eccentric core fiber Mach–Zehnder modal interferometer. IEEE Sensors Journal. 2016;16 (18): 6899–6902. https://doi.org/10.1109/jsen.2016.2589262
Khan M. Z. M., Ng T. K., Ooi B. S. High-Performance 1.55-mu m superluminescent diode based on broad gain InAs/InGaAlAs/InP quantum dash active region. IEEE Photonics Journal. 2014;6(4): 1–8. https://doi.org/10.1109/jphot.2014.2337892
Eichler H. J., Eichler J., Lux O. Semiconductor lasers. In: Lasers. Springer Series in Optical Sciences. Vol 220. Springer, Cham.; 2018. p. 165–203. https://doi.org/10.1007/978-3-319-99895-4_10
Guin S., Das N. R. Modeling power and linewidth of quantum dot superluminescent light emitting diode. Journal of Applied Physics. 2020;128(8): 083102. https://doi.org/10.1063/1.5131550
Sychikova Ya. A. Nanorazmernye struktury na poverkhnosti fosfida indiya [Nanoscale structures on the surface of indium phosphide]. LAP Lambert Academic Publishing; 2014. 132 p. (In Russ.)
Lei P. H., Yang C. D., Wu M., et al. Optimization of active region for 1.3-µm GalnAsP compressive strain multiple-quantum-well ridge waveguide laser diodes. Journal of Electronic Materials. 2006;35(2): 243–249. https://doi.org/10.1007/BF02692442
Emelyanov V. M., Sorokina S. V., Khvostikov V. P., Shvarts M. Z. Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters. Semiconductors. 2016;50(1): 132–137. https://doi.org/10.1134/S1063782616010097
Andreeva E. V., Ilchenko S. N., Ladugin M. A., Marmalyuk A. A., Pankratov K. M., Shidlovskii V. R., Yakubovich S. D. Superluminescent diodes based on asymmetric double-quantum-well heterostructures. Quantum Electrincs. 2019;49(10): 931–935. https://doi.org/10.1070/qel17071
Saidov A. S., Usmonov Sh. N., Saidov M. S. Liquid-phase epitaxy of the (Si2)1−x−y(Ge2)x(GaAs) y substitutional solid solution (0 ≤ x ≤ 0.91, 0 ≤ y ≤ 0.94) and their electrophysical properties. Semiconductors. 2015;49(4): 547–50. https://doi.org/10.1134/s106378261504020x
Vorotyntsev V. M., Skupov V. D. Bazovye tekhnologii mikro- i nanoelektroniki [Basic technologies of micro-and nanoelectronics]. Prospekt Publ.; 2017. 520 p. (In Russ.)
Preobrazhenskii V. V., Putyato M. A., Semyagin B. R. Measurements of parameters of the lowtemperature molecular-beam epitaxy of GaAs. Semiconductors. 2002;36(8): 837–840. https://doi.org/10.1134/1.1500455
Abramkin D. S., Bakarov A. K., Putyato M. A., Emelyanov E. A., Kolotovkina D. A., Gutakovskii A. K., Shamirzaev T. S. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem. Semiconductors. 2017;51(9): 1233–1239. https://doi.org/10.1134/s1063782617090020
Akchurin R. Kh., Marmalyuk A. A. MOSgidridnaya zpitaksiya v tekhnologii materialov fotoniki i elektroniki [MOS-hydride absorption in photonics and electronics materials technology]. Tekhnosfera Publ.; 2018. 487 p. (In Russ.)
Gagis G. S., Vasil’ev V. I., Levin R. V., Marichev A. E., Pushnyi B. V., Kuchinskii V. I., Kazantsev D. Yu., Ber B. Ya. Investigation of the effect of doping on transition layers of anisotype GaInAsP and InP heterostructures obtained by the method of MOCVD. Technical Physics Letters. 2020;46: 961–963. https://doi.org/10.1134/S1063785020100053
Hasan S., Richard O., Merckling C., Vandervorst W. Encapsulation study of MOVPE grown InAs QDs by InP towards 1550 nm emission. Journal of Crystal Growth. 2021;557: 126010. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.126010
Vasil’ev M. G., Izotov A. D., Marenkin S. F., Shelyakin A. A. Preparation of shaped indium phosphide surfaces for edge-emitting devices. Inorganic Materials. 2019;55(1): 105–108. https://doi.org/10.1134/s0020168519010175
Mamutin V. V., Ilyinskaya N. D., Bedarev D. A., Levin R. V., Pushnyi B. V. Study of postgrowth processing in the fabrication of quantum-cascade lasers. Semiconductors. 2014;48(8): 1103–1108. https://doi.org/10.1134/s1063782614080181
Vasil’ev M. G., Vasil’ev A. M., Kostin Yu. O., Shelyakin A. A. and Izotov A. D. Study of linear light edge-emitting diodes based on InP/InGaAsP/InP heterostructure with the crescent active region. Inorganic Materials: Applied Research. 2018;9(5): 813–816. https://doi.org/10.1134/S2075113318050295
Vasil’ev M. G., Vasil’ev A. M., Vilk D. M., Shelyakin A. A. LPE growth of InP/InGaAsP/InP heterostructures and separate preparation of hightemperature solutions. Inorganic Materials. 2007;43(7): 683–688. https://doi.org/10.1134/s0020168507070011
Blank T. V., Gol’dberg Yu. A. Mechanisms of current flow in metal-semiconductor ohmic contacts. Semiconductors. 2007;41(11): 1263–1292. https://doi.org/10.1134/s1063782607110012
Vasil’ev M. G., Vasil’ev A. M., Izotov A. D., Shelyakin A. A. Preparation of indium phosphide substrates for epilayer growth. Inorganic Materials. 2018;54(11): 1109–1112. https://doi.org/10.1134/s0020168518110158
Copyright (c) 2021 Конденсированные среды и межфазные границы
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
