СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (AlxGa1–xAs)1–yCy

Pavel V. Seredin; Evelina P. Domashevskaya; Ivan N. Arsentyev; Iliya S. Tarasov

Authors

Pavel V. Seredin PhD (phys.-math. science), senior staff scientist, solid state physic and nanostructures department, Voronezh State University; e-mail: paul@phys.vsu. ru
Evelina P. Domashevskaya grand PhD (phys.-math. science), professor, chief of solid state physic and nanostructures department, Voronezh State University; e-mail: ftt@phys.vsu.ru
Ivan N. Arsentyev grand PhD (eng.), professor, Ioffe Physical and Technical Institute; e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru
Iliya S. Tarasov grand PhD (phys.-math.), professor, Ioffe Physical and Technical Institute; e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru

Keywords:

твердые растворы, (AlxGa1–xAs)1–yCy, МОС-гидридная эпитаксия.

Abstract

При высоких концентрациях углерода (y-> 0.001) атомы примеси могут концентрироваться на дефектах кристаллической решетки МОС-гидридного эпитаксиального низкотемпературного твердого раствора (AlxGa1–xAs)1–yCy с образованием нанокластеров углерода.