МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТУННЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНЫХ СТРУКТУРАХ

Vladimir V. Filippov; Anatoly A. Zavorotny; Evgeniy N. Bormontov

Authors

Vladimir V. Filippov PhD (physical and mathematical sciences), associate professor, Lipetsk State Pedagogical University; tel.: (4742) 328385, 328383, e-mail: wwfi lippow@ mail.ru
Anatoly A. Zavorotny post-graduate student, Lipetsk State Pedagogical University; tel.: (4742) 328385, 328383, e-mail: aazavorotny@rambler.ru
Evgeniy N. Bormontov grand PhD (physical and mathematical science), professor, chair of physic of semiconductor and microelectronics, Voronezh State University; tel.: (4732) 208821, e-mail: PlPhys@main.vsu.ru

Keywords:

квантовая яма, волновая функция, уравнение Шредингера, туннельно- резонансный диод.

Abstract

Выполнена оценка смещений уровней энергетического спектра в прямоугольной квантовой яме с дополнительным провалом, служащая основой при расчетах контрастности вольт-амперных характеристик туннельно-резонансных структур. Показано, что смещения
положений основного и первого возбужденного уровней качественно определяются рельефом и глубиной квантовой ямы.