SIMULATION OF DEFORMATION AND BAND DIAGRAM OF SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES
Keywords:
напряженная гетероструктура, кремний, германий, деформация, зонная диаграмма.Abstract
Предложена модель деформаций в напряженной полупроводниковой структуре, состоящей из произвольного числа слоев кремния и германия. Рассчитаны относительные деформации в слоях Si и Ge и их зависимости от отношения толщин контактирующих полупроводников. Исследовано влияние деформации и соотношения толщин композиционных слоев на основные параметры энергетической зонной диаграммы гетероперехода кремний-германий.








