SIMULATION OF DEFORMATION AND BAND DIAGRAM OF SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES
Abstract
Предложена модель деформаций в напряженной полупроводниковой структуре, состоящей из произвольного числа слоев кремния и германия. Рассчитаны относительные деформации в слоях Si и Ge и их зависимости от отношения толщин контактирующих полупроводников. Исследовано влияние деформации и соотношения толщин композиционных слоев на основные параметры энергетической зонной диаграммы гетероперехода кремний-германий.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. М.: Логос, 2006. 494 c.
2. Нанотехнологии в электронике / под ред. Чаплыгина Ю.А. М.: Техносфера, 2005. 448 c.
3. Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний — материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007. 352 c.
4. Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1979. 168 c.
5. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 584 c.
6. Jankovic N.D., O’Neill A. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. № 9. P. 901.
7. Lee M.L., Fitzgerald E.A. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. № 4. Р. 2590.
8. Richard S., Cavassilas N., Aniel F., Fishman G. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. № 8. Р. 5088.
9. Payet F., Cavassilas N., Autran J.-L. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 2. Р. 713.
10. Sugii N., Hisamoto D., Washio K., Yokoyama N., Kimura S. // IEEE Trans. on Electron Devices. 2002. V. 49, № 12. Р. 2237.
11. Yina H., Hobart K. D., Kub F. J., Shieh S. R., Duffy T. S., Sturm J. C. // Appl. Phys. Letters. 2003. V. 82. № 22. Р. 3853.
12. Rehder E. M., Inoki C. K., Kuan T. S., Kuech T. F. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. № 12. Р. 7892.
13. Bera L.K., Mathew S., Balasubramanian N., Braithwaite G., Currie M.T., Singaporewala F., Yap J., Hammond R., Lochtefeld A., Bulsara M.T., Fitzgerald E.A. // Appl. Surface Sci. 2004. V. 224. № 4. P. 278.
14. Iwata H., Matsuda T., Ohzone T. // Solid-State Electronics. 2009. V. 53. №10. Р. 1130.
15. Feste S.F., Knoch J., Habicht S., Buca D., Zhao Q.-T., Mantl S. // Solid-State Electronics. 2009. V. 53. № 12. Р. 1257.
16. Безухов Н.И. Основы теории упругости, пластичности и ползучести. М.: Высшая школа, 1988. 522 c.
17. Niquet Y.M., Rideau D., Tavernier C., Jaouen H., Blase X. // Phys. Rev. 2009. V. 79. № 24. P. 245201.
18. Brehm M., Suzuki T., Fromherz T., Zhong Z., Hrauda N., Hackl F., Stangl J., Schäffl er F., G Bauer G. // New Journal of Physics. 2009. V.11. № 6. P. 063021.
2. Нанотехнологии в электронике / под ред. Чаплыгина Ю.А. М.: Техносфера, 2005. 448 c.
3. Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний — материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007. 352 c.
4. Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1979. 168 c.
5. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 584 c.
6. Jankovic N.D., O’Neill A. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. № 9. P. 901.
7. Lee M.L., Fitzgerald E.A. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. № 4. Р. 2590.
8. Richard S., Cavassilas N., Aniel F., Fishman G. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. № 8. Р. 5088.
9. Payet F., Cavassilas N., Autran J.-L. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 2. Р. 713.
10. Sugii N., Hisamoto D., Washio K., Yokoyama N., Kimura S. // IEEE Trans. on Electron Devices. 2002. V. 49, № 12. Р. 2237.
11. Yina H., Hobart K. D., Kub F. J., Shieh S. R., Duffy T. S., Sturm J. C. // Appl. Phys. Letters. 2003. V. 82. № 22. Р. 3853.
12. Rehder E. M., Inoki C. K., Kuan T. S., Kuech T. F. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. № 12. Р. 7892.
13. Bera L.K., Mathew S., Balasubramanian N., Braithwaite G., Currie M.T., Singaporewala F., Yap J., Hammond R., Lochtefeld A., Bulsara M.T., Fitzgerald E.A. // Appl. Surface Sci. 2004. V. 224. № 4. P. 278.
14. Iwata H., Matsuda T., Ohzone T. // Solid-State Electronics. 2009. V. 53. №10. Р. 1130.
15. Feste S.F., Knoch J., Habicht S., Buca D., Zhao Q.-T., Mantl S. // Solid-State Electronics. 2009. V. 53. № 12. Р. 1257.
16. Безухов Н.И. Основы теории упругости, пластичности и ползучести. М.: Высшая школа, 1988. 522 c.
17. Niquet Y.M., Rideau D., Tavernier C., Jaouen H., Blase X. // Phys. Rev. 2009. V. 79. № 24. P. 245201.
18. Brehm M., Suzuki T., Fromherz T., Zhong Z., Hrauda N., Hackl F., Stangl J., Schäffl er F., G Bauer G. // New Journal of Physics. 2009. V.11. № 6. P. 063021.
Published
2010-09-30
How to Cite
Filippov, V. V., Vlasov, A. N., & Bormontov, E. N. (2010). SIMULATION OF DEFORMATION AND BAND DIAGRAM OF SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES. Condensed Matter and Interphases, 12(3), 282-287. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1126
Issue
Section
Статьи
