SIMULATION OF DEFORMATION AND BAND DIAGRAM OF SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES

Authors

  • Vladimir V. Filippov associate professor, Lipetsk State Pedagogical University, tel.: (4742) 328385, e-mail: wwfi lippow@mail.ru
  • Arthur N. Vlasov the post graduate student, Lipetsk State Pedagogical University, tel.: (4742) 328383, e-mail: wlasow_a_n@mail.ru
  • Evgeniy N. Bormontov the professor, Voronezh State University, tel.: (4732) 208633, e-mail: me144@phys.vsu. ru

Keywords:

напряженная гетероструктура, кремний, германий, деформация, зонная диаграмма.

Abstract

Предложена модель деформаций в напряженной полупроводниковой структуре, состоящей из произвольного числа слоев кремния и германия. Рассчитаны относительные деформации в слоях Si и Ge и их зависимости от отношения толщин контактирующих полупроводников. Исследовано влияние деформации и соотношения толщин композиционных слоев на основные параметры энергетической зонной диаграммы гетероперехода кремний-германий.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Downloads

Published

2010-09-30

Issue

Section

Статьи

How to Cite

SIMULATION OF DEFORMATION AND BAND DIAGRAM OF SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES. (2010). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 12(3), 282-287. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1126

Most read articles by the same author(s)