СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК CuInSe2 МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ И ИХ СВОЙСТВА

Yuliya V. Gerasimenko; Alexander A. Maksimenko; Sergey N. Saltykov; Alexey N. Kharin; Dmitry A. Khoviv; Alexander М. Khoviv

Авторы

Yuliya V. Gerasimenko Герасименко Юлия Владимировна — к.ф.-мат.н., старший научный сотрудник кафедры общей и неорга- нической химии Воронежского государственного университета; тел.: (4732) 208445, e-mail: yuliya-gerasimenko@ yandex.ru
Alexander A. Maksimenko Максименко Александр Александрович — к.ф.-мат.н., старший научный сотрудник Технопарка Воронежского государственного университета; тел.: (4732) 276303, email: maximencoalex@mail.ru
Sergey N. Saltykov Салтыков Сергей Николаевич — к.х.н., докторант Воронежского государственного университета, доцент кафедры Химии Липецкого государственного техниче ского университета; тел.: (4732) 276303, e-mail: saltsn@ mail.ru
Alexey N. Kharin Харин Алексей Николаевич — к.ф.-м.н., директор Центра Коллективного пользования научным оборудо- ванием Воронежского государственного университета; тел.: (4732) 207548, e-mail: a_kharin@mail.ru
Dmitry A. Khoviv Ховив Дмитрий Александрович — к.ф.-м.н., старший научный сотрудник кафедры материаловедения и инду- стрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: (4732) 276303, e-mail: dkhoviv@inbox.ru
Alexander М. Khoviv Ховив Александр Михайлович — д. ф.-мат. н., д.х.н., профессор, первый проректор Воронежского государственного университета; тел: (4732) 772633, e-mail: khoviv@vsu.ru

Ключевые слова:

тонкая пленка, магнетронное распыление, кристаллизация, отжиг.

Аннотация

Тонкие пленки трехкомпонентного полупроводникового соединения CuInSe2 (CIS) были синтезированы методом магнетронного распыления предварительно подготовленной мишени материала системы Cu — In — Se. Проведено исследование фазового состава, опти-
ческих свойств и электропроводности в зависимости от температуры отжига. Показано, что в полученных пленках поглощение света происходит за счет прямых разрешенных межзонных переходов. Определенны значения энергии прямого перехода, показана положительная зависимость проводимости от температуры отжига тонких пленок.