ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ФОСФИДА ИНДИЯ, МОДИФИЦИРОВАННОЙ КОМПОЗИЦИЕЙ (90 %V2O5 + 10 % MnO2)

Abstract

Цель данной работы – установление влияния магнетронно нанесённой композиции (90%V2O5+10%MnO2) на кинетику термооксидирования InP, состав и морфологию поверхности в сравнении с оксидированием «чистой» поверхности InP и гетероструктуры V2О5/InP. Показано, что модифицирование поверхности InP композитным хемостимулятором V2O5 + MnO2, содержащим малое количество MnO2 (10 мол. %) приводит к заметным изменениям кинетических характеристик процесса по сравнению как с собственным оксидированием InP, так и при использовании в качестве хемостимулятора нанесённых слоёв V2О5. Установлено, что процесс характеризуется достаточно большими значениями относительного увеличения толщины пленки (в среднем 2-5 раз). Значение эффективной энергии активации достаточно велико и сопоставимо с таковым для оксидирования InP (210 и 270 кДж/моль соответственно). Выявлено положительное влияние изучаемого композитного модификатора на такие характеристики плёнок, как состав и морфологию поверхности. Методом РФА показано обогащение выращенной плёнки одним из целевых продуктов – фосфатом индия – в сравнении с оксидированной гетероструктурой V2О5/InP. После термооксидирования гетероструктуры (90%V2O5 + 10%MnO2)/InP формируются плёнки c зёренной структурой поверхности (средний размер 50 нм) и высотой рельефа, не превышающей 20 нм, что превосходит аналогичные характеристики для гетероструктуры V2О5/InP.