СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК CuInSe2 МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ И ИХ СВОЙСТВА

Yuliya V. Gerasimenko; Alexander A. Maksimenko; Sergey N. Saltykov; Alexey N. Kharin; Dmitry A. Khoviv; Alexander М. Khoviv

Authors

Yuliya V. Gerasimenko PhD (physical and mathematical sciences), senior scientifi c employee of chair of «General and Inorganic Chemistry», Voronezh State University; tel: (4732) 208445, e-mail: yuliya-gerasimenko@ yandex.ru
Alexander A. Maksimenko PhD (physical and mathematical sciences), senior scientifi c employee of Technopark, Voronezh State University; tel: (4732) 276303, email: maximencoalex@mail.ru
Sergey N. Saltykov PhD (chemistry), person working for doctor’s degree of Voronezh State University, senior lecturer of Lipetsk State Technical University; tel.: (4732) 276303, e-mail: saltsn@mail.ru
Alexey N. Kharin PhD (physical and mathematical sciences), director of the Center of Collective using the scientifi c equipment Voronezh State University; tel.: (4732) 207548, e-mail: a_kharin@mail.ru
Dmitry A. Khoviv PhD (physical and mathematical sciences), senior scientifi c employee, chair «Material Science and Industry of Nanosystems», Voronezh State University; tel.: (4732) 276303, e-mail: dkhoviv@inbox.ru
Alexander М. Khoviv grand PhD, professor, fi rst pro-rector, Voronezh State University; tel.: (4732) 772633, e-mail: khoviv@vsu.ru

Keywords:

тонкая пленка, магнетронное распыление, кристаллизация, отжиг.

Abstract

Тонкие пленки трехкомпонентного полупроводникового соединения CuInSe2 (CIS) были синтезированы методом магнетронного распыления предварительно подготовленной мишени материала системы Cu — In — Se. Проведено исследование фазового состава, опти-
ческих свойств и электропроводности в зависимости от температуры отжига. Показано, что в полученных пленках поглощение света происходит за счет прямых разрешенных межзонных переходов. Определенны значения энергии прямого перехода, показана положительная зависимость проводимости от температуры отжига тонких пленок.