FEATURES OF CHEMICAL STIMULATING THERMAL OXIDATION OF INDIUM PHOSPHIDE DEPENDING ON THE METHOD OF DEPOSITION OF V2O5 CHEMOSTIMULATOR ON THE SEMICONDUCTOR SURFACE

Abstract

Установлено, что реализация каталитического либо транзитного механизма хемостимулирующего действия V2O5, нанесенного на поверхность InP, определяется методом формирования оксидируемой структуры — жестким или мягким. Жесткие методы — магнетронное распыление и электрический взрыв проводника — способствуют протеканию процесса оксидирования по каталитическому механизму. Мягкий метод модифицирования гелем V2O5 определяет транзитный механизм хемостимулированного оксидирования. Максимальная степень блокировки диффузии неокисленного индия в пленку достигается при использовании
жесткого метода нанесения хемостимулятора на поверхность полупроводника — магнетронного распыления.