ЭНЕРГИЯ ФТОРУГЛЕРОДНОЙ СВЯЗИ И ПРОВОДИМОСТЬ ФТОРИРОВАННЫХ ОДНОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК МАЛЫХ ДИАМЕТРОВ СТЕХИОМЕТРИИ C2F

Alexander A. Ganin; Larisa A. Bityutskaya; Evgeniy N. Bormontov

Authors

Alexander A. Ganin postgraduate student of the Physic of Semiconductor and Microelectronics Department, Voronezh State University, tel.: (920) 4545873.
Larisa A. Bityutskaya Cand. Sci. (Chem.), Associate Professor of the Physic of Semiconductor and Microelectronics Department, Voronezh State University; tel.: (473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru.
Evgeniy N. Bormontov Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor, Head of the Physic of Semiconductor and Microelectronics Department, Voronezh State University, tel.: (473) 2208633, e-mail: me144@phys.vsu.ru

Keywords:

фтор, ОСУНТ, функционализация, зонная структура, ширина запрещенной зоны, заряд, энергия связи, диаметр, хиральность, симметрия, DFT.

Abstract

Методом функционала плотности (DFT) исследованы закономерности изменения энергии фторуглеродной связи F — C и ширины запрещённой зоны, а также перераспределение зарядов на атомах С и F по Малликену для изомера фторированных одностенных углеродных нанотрубок (F-ОСУНТ) стехиометрии C2F малых диаметров в интервале от 0.2 до 2.0 нм. Обнаружено, что энергия связи F — C увеличивается с уменьшением диаметра. Зигзагные F-ОСУНТ с чётным индексом хиральности являются металлическими (за исключением трубки (0, 4)), а трубки с нечётным индексом хиральности являются полупроводниковыми.