ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР GaAs:Cr МЕТОДАМИ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ И РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Abstract

Диффузия хрома в монокристаллические подложки GaAs(100) приводит к образованию переходного слоя GaAs:Cr. Легированный хромом слой GaAs имеет n-тип проводимости, но при этом обладает пониженной по сравнению с подложкой концентрацию электронов. При этом атомы хрома встраиваются в кристаллическую решетку арсенида галлия и занимают регулярные позиции атомов металлической подрешетки. Увеличение времени диффузии хрома в GaAs уменьшает количество поверхностных дефектов.