СОБСТВЕННОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ GaP КАК ОСНОВА ВЫБОРА ФУНКЦИЙ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ
DOI:
https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/221Ключевые слова:
фосфид галлия, термооксидирование, наноразмерные плёнкиАннотация
Установлено, что термооксидирование GaP кислородом при 650-750 ºС приводит к формированию наноразмерных, толщиной не более 100 нм (СЭ, РЭМ), плёнок состава GaPO4 и Ga(PO3)3 с небольшим содержанием Ga2O3 (РФА, ИКС). На их неоднородной поверхности присутствуют поры (АСМ, РЭМ), связанные с испарением P2O5. GaP отличается от InP и GaAs формированием регулярных плёнок собственного оксида при более высоких температурах (от 650 °С), отсутствием в них неокисленных компонентов подложки (ОЭС) и диэлектрическими свойствами. Для снижения температуры, увеличения скорости роста, достижения требуемой морфологии поверхности и варьируемых в широких пределах оптических и электрофизических свойств предложено хемостимулированное термооксидирование GaP.
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ (№ 16-43-360595р_а). Исследования проведены с использованием оборудования Центра коллективного пользования научным оборудованием Воронежского госуниверситета.
