ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ УГЛЕРОДА НА ФАЗОВЫЙ СОСТАВ ПЛЕНОК SiO2:NC-Si/Si ПО ДАННЫМ БЛИЖНЕЙ ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ
Ключевые слова:
спектроскопия ближней тонкой структуры рентгеновс кого поглощения, нанокристаллы кремния, тонкая структура спектров и фазовы й состав, инверсия тонкой структуры спектра квантового вы хода рентгеновс кого фотоэффекта.Аннотация
Методом спектроскопии ближней тонкой структуры рентгеновс кого поглощения (XANES) исс ледовано влияние ионной имплантации углерода в пленки SiOx/Si на их фазовы й состав. Обнаружена щественная перестройка тонкой структуры XANES после имплантации углерода, зависящая от ориентации подложки. Также проявляется тонкая структура, св язанная с образованием карбида кремния.






