КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ 2D АЛЛОТРОПОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

  • Andrei V. Tuchin Тучин Андрей Витальевич – к. ф.-м. н., доцент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (908) 1485775, e-mail: a.tuchin@bk.ru
  • Larisa А. Bityutskaya Битюцкая Лариса Александровна – к. х. н., доцент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru
  • Andrei V. Kalashnikov Калашников Андрей Васильевич – аспирант кафедры физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7(951) 5503243, e-mail: akalash49@gmail.com
  • Eugene N. Bormontov Бормонтов Евгений Николаевич – д. ф.-м. н., профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru
Ключевые слова: SiC, 2D аллотропы, квантово-химическое моделирование, электронная структура

Аннотация

Методами квантовой химии проведено исследование электронной структуры аллотропов 2D SiC с числом слоев n = 1-3. Установлено, что 2D структуры карбида кремния образуют семейство полупроводниковых материалов с шириной запрещенной зоны от 1.132 до 2.150 эВ, а послойный рост структур определяет изменение типа проводника от прямозонного однослойного SiC к непрямозонному при числе слоев n = 2, 3. Исключением являются метастабильные структуры с шириной прямозонного перехода 1.339 и 1.132 эВ.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 16-43-360281 р_а)

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Polishhuk A. Components and Technologies, 2004, no. 5, pp. 20–23. (in Russian)
2. Rjabinina I. A., Rembeza S. I., Rembeza E. S. The Bulletin of Voronezh State Technical University, 2009, vol. 5, no. 12, pp. 198–202. (in Russian)
3. Chepurnov V. I., Fidman T. P. Microsystems Technology, 2002, no. 2, pp. 17–21. (in Russian)
4. Gurin A. S., Pecherskaja R. M. University Proceedings. Volga Region. Technical Sciences, 2014, no. 1 (29), pp. 46–53. Available at: http://izvuz_tn_eng.pnzgu.ru/files/izvuz_tn_eng.pnzgu.ru/05.pdf (in Russian)
5. Luchinin V., Tairov Ju. Modern Electronics, 2009, no. 7, pp. 12–15. Available at: https://www.soel.ru/upload/magazines/OPEN/SoEl_2009-7/SoEl_2009-7pr.html#12 (in Russian)
6. Gundiah G., Madhav G. V., Govindaraj A., Seikh M., Rao C. N. R. J. Mater. Chem., 2002, no. 5, pp. 1606–1611. DOI: 10.1039/B20161F. Available at: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2002/jm/b200161f
7. Zhang Y., Wang L., He R., Chen X., Zhu J. Solid State Communications, 2001, vol. 118, no. 11, pp. 595–598. DOI: 10.1016/S0038-1098(01)00181-8. Available at: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109801001818?via%3Dihub
8. Pan Z., Lai H. L., Au F. C. K., Duan X., Zhou W., Shi W., Wang N., Lee C. S., Wong N. B., Lee S. T., Xie S. Adv. Mater., 2000, 12, pp. 1186–1190. DOI: 10.1002/1521-4095(200008)12:16<1186::AID-ADMA1186>3.0.CO;2-F. Available at: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/1521-4095(200008)12:16%3C1186::AID-ADMA1186%3E3.0.CO;2-F/full
9. Aleksandrov P. A., Belova N. E., Demakov K. D., Ivanova L. M., Kuznecov Ju. Ju., Stepanov N. V., Shemardov S. G. Questions of Atomic Science and Technology. Ser. Thermonuclear Synthesis, 2007, 1, pp. 68–75. (in Russian)
10. Emel'chenko G. A., Masalov V. M., Zhohov A. A., Maksimuk M. Ju., Fursova T. N., Bazhenov A. V., Zver'kova I. I., Hasanov S. S., Shtejnman Je. A., Tereshhenko A. N. Physics of the Solid State, 2011, vol. 53, 6, pp.1121-1063 DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783411060096. Available at: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063783411060096.
11. Kargin Ju. F., Ivicheva S. N., Lysenko A. S., Alad'ev N. A., Kucev S. V., Shvorneva L.I. Inorganic Materials, 2009, vol. 45, no. 7, p. 758. DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168509070103. Available at: https://link.springer.com/article/10.1134/S0020168509070103
12. Borunova A. B., Streleckii A. N. Mudretsova S. N., Leonov A. V., Butyagin P. Ju. Colloid Journal, 2011, vol. 73, no. 5, pp. 605–613. DOI: 10.1134/S1061933X1104003X Available at: http://pleiades.online/cgi-perl/search.pl?type=abstract&name=colljour&number=5&year=11&page=605
13. Bolotnikova O. A. “High Technologies in Modern Science and Technology-2016”. Proceedings of the V International Conference, December 5-7, Tomsk, 2016, pp. 50–51. (in Russian)
14. Widmann M., Lee S.-Y., Rendler T., Son N. T., Fedder H., Paik S., Yang L.-P., Zhao N., Yang S., Booker I., Denisenko A., Momenzadeh S. A., Gerhardt I., Ohshima T., Gali A., Janzen E., Wrachtrup J. Nature Material, 2015, no. 14, pp. 164–168. DOI: 10.1038/ncomms8783. Available at: https://www.nature.com/articles/ncomms8783
15. Morello A. Nature Material, 2015, no. 14, pp. 135–136. DOI: 10.1038/nmat4171. Available at: http://www.nature.com/nmat/journal/v14/n2/full/nmat4171.html
16. Kou L., Ma Y., Tan X., Frauenheim T., Du A., Smith S. J. Phys. Chem. C, 2015, 119 (12), pp. 6918–6922. DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b02096 Available at: http://pubs.acs.org/doi/ipdf/10.1021/acs.jpcc.5b02096
17. Li P., Zhou R., Zeng X. C. Nanoscale, 2014, no. 6, pp. 11685–11691. DOI: 10.1039/C4NR03247K Available at: http://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2014/nr/c4nr03247k.
18. Kraus H., Soltamov V. A., Fuchs F., Simin D., Sperlich A., Baranov P. G., Astakhov G. V., Dyakonov V. Scientific Reports, 2014, vol. 4, 5303(8). DOI: 10.1038/srep05303 Available at: https://www.nature.com/articles/srep05303#supplementary-information
19. Zhou H., Lin Z., Guo H., Lin S., Sun Y., Xu Y. Journal of Semiconductors, 2017, vol. 38, no. 3, 033002. DOI: 10.1088/1674-4926/38/3/033002 Available at: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-4926/38/3/033002
20. Belenkov E. A., Agaljamova Je. N., Grishnjakov V. A. Physics of the Solid State 2012, vol. 54, no. 2, pp. 433. DOI https://doi.org/10.1134/S1063783412020072 Available at: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063783412020072
21. Belenkov E. A., Agaljamova Je. N. Bulletin of the Chelyabinsk State University, Physics, 2009, no. 24 (162), 5, pp.13–21. (in Russian)
22. Agalyamova E. N., Belenkov E. A., Grishnyakova V. A. Bulletin of the Chelyabinsk State University, Physics, 2011, no. 15 (230), 10, pp. 15–24. (in Russian)
23. Kasper Y., Tuchin A., Bokova A., Bityutskaya L. J. of Phys., Conf. Series, 2016, vol. 741, no. 1, 012022(5). DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012022 Available at: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/741/1/012022/meta
24. Bokova A. M., Tuchin A. V., Bitjuckaja L. A. Proceedings of High Schools. Electronics, 2015, 20, no. 1, pp. 5–9.
Опубликован
2017-12-28
Как цитировать
Tuchin, A. V., BityutskayaL. А., Kalashnikov, A. V., & Bormontov, E. N. (2017). КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ 2D АЛЛОТРОПОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ. Конденсированные среды и межфазные границы, 19(4), 577-584. https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/240
Раздел
Статьи