ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОК Al2O3 НА ПОДЛОЖКАХ GaAs(100)
Ключевые слова:
Al2O3, оксид алюминия, инфракрасная спектроскопия, ультрафиолетовая спектроскопия.
Аннотация
В работе изучены оптические свойства ультратонких пленок оксида алюминия,
полученных методом ионно-плазменного распыления. Экспериментально показано, что в из-
готовленных таким образом аморфных пленках зарождаются кристаллы α-оксида алюминия
Al2O3, при этом пленки пропускают оптическое излучение в ИК, видимом и ультрафиолетовом
диапазоне и потенциально значимы для создания на их основе просветляющих покрытий
зеркал мощных полупроводниковых лазеров на основе AIIIBV.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Uchida K. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 248. P. 124.
2. Mimila-Arroyo J., Brand S. W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1164.
3. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2010. V. 44. I. 2. P. 184—188.
4. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2009. V. 43. I. 12. P. 1610—1616.
5. Seredin P. V., Domashevskaya P., Arsentyev I. N., et al. // Semiconductors. 2013. V. 47. I. 1. P. 1—6.
6. Monier C., et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 2103.
7. Takamoto T., Agui T., Ikeda E. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2001. V. 66. P. 511.
8. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Applied Surface Science. 2013. V. 267. P. 181—184.
9. Domashevskaya E. P., Gordienko N. N., Rumyantseva N. A., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1069—1075.
10. Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V. E., et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. I. 11. P. 1433—1440.
11. Jun B. K., et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 360. P. 229—232.
12. Siddhartha Dradhan K., еt al. // Surface and Coat. Technol. 2004. V. 76. I. 3. P. 382—384.
13. Chou T. C., Nieh T. G., McAdams S.D., Pharr G. M. // Scripta Met. 1991. V. 25. I. 10. P. 2203—2208.
14. Hoetzsch G., Zywitzki O., Sahm H. // 40th Annual Technical Conference of the Society of Vacuum Coaters. 1997. April 12—17. New Orlean. USA.
15. Cheng C. — W. and Fitzgerald E. A. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 202101.
16. Борисова А. Л., Адеева Д. И., Сладкова В. Н. // Автом. сварка. 1997. № 9 (534). C. 26—32.
17. Крушинская Л. А., Стельмах Я. А. // Вопросы атомной науки и техники. 2011. № 6. C. 92—98.
18. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2009. V. 43. I. 12. P. 1610—1616.
19. Seredin P. V., Domashevskaya É. P., Lukin A. N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1055—1061/
20. Pechar František // Crystal Research and Technology. 1985. V. 20. I. 2. P. 239—246.
2. Mimila-Arroyo J., Brand S. W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1164.
3. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2010. V. 44. I. 2. P. 184—188.
4. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2009. V. 43. I. 12. P. 1610—1616.
5. Seredin P. V., Domashevskaya P., Arsentyev I. N., et al. // Semiconductors. 2013. V. 47. I. 1. P. 1—6.
6. Monier C., et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 2103.
7. Takamoto T., Agui T., Ikeda E. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2001. V. 66. P. 511.
8. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Applied Surface Science. 2013. V. 267. P. 181—184.
9. Domashevskaya E. P., Gordienko N. N., Rumyantseva N. A., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1069—1075.
10. Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V. E., et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. I. 11. P. 1433—1440.
11. Jun B. K., et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 360. P. 229—232.
12. Siddhartha Dradhan K., еt al. // Surface and Coat. Technol. 2004. V. 76. I. 3. P. 382—384.
13. Chou T. C., Nieh T. G., McAdams S.D., Pharr G. M. // Scripta Met. 1991. V. 25. I. 10. P. 2203—2208.
14. Hoetzsch G., Zywitzki O., Sahm H. // 40th Annual Technical Conference of the Society of Vacuum Coaters. 1997. April 12—17. New Orlean. USA.
15. Cheng C. — W. and Fitzgerald E. A. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 202101.
16. Борисова А. Л., Адеева Д. И., Сладкова В. Н. // Автом. сварка. 1997. № 9 (534). C. 26—32.
17. Крушинская Л. А., Стельмах Я. А. // Вопросы атомной науки и техники. 2011. № 6. C. 92—98.
18. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2009. V. 43. I. 12. P. 1610—1616.
19. Seredin P. V., Domashevskaya É. P., Lukin A. N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1055—1061/
20. Pechar František // Crystal Research and Technology. 1985. V. 20. I. 2. P. 239—246.
Опубликован
2014-06-22
Как цитировать
Seredin, P. V., Goloshchapov, D. L., Arsentyev, I. N., Bondarev, A. D., Rastegaeva, M. G., & Tarasov, I. S. (2014). ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОК Al2O3 НА ПОДЛОЖКАХ GaAs(100). Конденсированные среды и межфазные границы, 16(2), 196-200. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/826
Выпуск
Раздел
Статьи
