СТРУКТУРА МОС-ГИДРИДНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ AlxGayIn1–x–yAszP1–z
Ключевые слова:
твердые растворы, наноразмерные неоднородности, AlxGayIn1–x–yAszP1–z.
Аннотация
В работе исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1–x–yAszP1–z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методом рентгеновской дифракции показано, что в пятикомпонентном твердом растворе может возникать структурная неоднородность. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что неоднородность является фазой на основе твердого раствора AlxGayIn1–x–yAszP1–z.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Stroppa А., Peressi M. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 205303.
2. Кузнецов В. В., Лунин Л. С., Ратушный В. И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV. Ростов н/Д: Изд.-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.
3. High performance materials and processing technology for uncooled 1.3 μm laser diodes. Roberta Campi Doctoral Thesis. Royal Institute of Technology, (KTH), Stockholm
4. 3-D Projection full color multimedia display WIPO. Patent Application WO/2007/127269.
5. Systems and Methods for CMOS-Compatible Silicon Nano-Wire Sensors with Biochemical and Cellular Interface. US Patent Application 20100297608.
6. Glas F., Treacy M. M. J., Quillec M., et al. // J. Physique C5. 1982. V. 43. P. 11—16.
7. Домашевская Э. П., Гордиенко Н. Н., Румянцева Н. А. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 9. С. 1086—1093.
8. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 38. № 4. P. 828—832.
9. Домашевская Э. П., Середин П. В., Битюцкая Л. А. и др. // Поверхность: Рентгеновские и синхротронные спектры. 2008. № 2. С. 62—65.
10. Герман М. А. Полупроводниковые сверхрешетки. Пер. с англ. Всесоюзный центр переводов. 1987. 291 с.
11. Alperovich V. L., Bolkhovityanov Yu. B., Chikichev S. I., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. № 9. P. 1054—1062.
12. Adachi S. Physical properties of III-V semiconductor compounds. Wiley, 1992.
13. John E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors: theory, growth, and characterization. Taylor & Francis Group, LLC, 2007.
14. Vavilova L. S., Kapitonov V. A., Murashova A.V., Pikhtin N. A., Tarasov I. S., Ipatova I. P., Shchukin V. A., Bert N. A., Sitnikova A. A. Spontaneously assembling periodic composition-modulated InGaAsP structures, Semiconductors, 33, 9, 1010—1012, (1999).
15. Mukai S. Photoluminescent and electrical properties of InGaPAs mixed crystals liquid-phase-epitaxially grown on (100) GaAs. J.Appl.Phys., 54, 5, 2635, (1983).
16. Lamberti C. Surface Science Reports, 53, (2004).
17. Vegard’s law and superstructural phases in AlxGa1–xAs/GaAs (100) epitaxial heterostructures / E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, E. A. Dolgopolova,
I. E. Zanin, I. N. Arsent’ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich and I. S. Semiconductors, 39, 3, 336—342, (2005).
18. Середин П. В. Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
2. Кузнецов В. В., Лунин Л. С., Ратушный В. И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV. Ростов н/Д: Изд.-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.
3. High performance materials and processing technology for uncooled 1.3 μm laser diodes. Roberta Campi Doctoral Thesis. Royal Institute of Technology, (KTH), Stockholm
4. 3-D Projection full color multimedia display WIPO. Patent Application WO/2007/127269.
5. Systems and Methods for CMOS-Compatible Silicon Nano-Wire Sensors with Biochemical and Cellular Interface. US Patent Application 20100297608.
6. Glas F., Treacy M. M. J., Quillec M., et al. // J. Physique C5. 1982. V. 43. P. 11—16.
7. Домашевская Э. П., Гордиенко Н. Н., Румянцева Н. А. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 9. С. 1086—1093.
8. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 38. № 4. P. 828—832.
9. Домашевская Э. П., Середин П. В., Битюцкая Л. А. и др. // Поверхность: Рентгеновские и синхротронные спектры. 2008. № 2. С. 62—65.
10. Герман М. А. Полупроводниковые сверхрешетки. Пер. с англ. Всесоюзный центр переводов. 1987. 291 с.
11. Alperovich V. L., Bolkhovityanov Yu. B., Chikichev S. I., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. № 9. P. 1054—1062.
12. Adachi S. Physical properties of III-V semiconductor compounds. Wiley, 1992.
13. John E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors: theory, growth, and characterization. Taylor & Francis Group, LLC, 2007.
14. Vavilova L. S., Kapitonov V. A., Murashova A.V., Pikhtin N. A., Tarasov I. S., Ipatova I. P., Shchukin V. A., Bert N. A., Sitnikova A. A. Spontaneously assembling periodic composition-modulated InGaAsP structures, Semiconductors, 33, 9, 1010—1012, (1999).
15. Mukai S. Photoluminescent and electrical properties of InGaPAs mixed crystals liquid-phase-epitaxially grown on (100) GaAs. J.Appl.Phys., 54, 5, 2635, (1983).
16. Lamberti C. Surface Science Reports, 53, (2004).
17. Vegard’s law and superstructural phases in AlxGa1–xAs/GaAs (100) epitaxial heterostructures / E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, E. A. Dolgopolova,
I. E. Zanin, I. N. Arsent’ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich and I. S. Semiconductors, 39, 3, 336—342, (2005).
18. Середин П. В. Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
Опубликован
2012-03-01
Как цитировать
Seredin, P. V., Glotov, A. V., Domashevskaya, E. P., & Arsentyev, I. N. (2012). СТРУКТУРА МОС-ГИДРИДНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ AlxGayIn1–x–yAszP1–z. Конденсированные среды и межфазные границы, 14(1), 84-89. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/951
Выпуск
Раздел
Статьи
