STRUCTURAL INSTABILITY OF SOLID SOLUTIONS GaxIn1-xAsyP1-y DUE TO SPINODAL DECOMPOSITION
Abstract
Методами рентгеноструктурного анализа и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность возникновения неоднородностей в жидкофазных эпитаксиальных гетероструктурах, возникающих в результате спинодального распада «погруженного» четверного твердого раствора In1–xGaxAsyP1–y по причине несмешиваемости его компонентов и релаксации параметра его кристаллической решетки к окружающим слоям.
Downloads
References
2. Yamamoto T., Sakai K., Akiba S., et al. // IEEE J.Quantum Electron. 1978. V. 14. P. 95.
3. Nelson R. J. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35. № 9. P. 654.
4. Bert N. A., Gorelenok A. T., Dzigasov A. G., et al. // J. Cryst. Growth. 1981. V. 52. P. 716.
5. Vavilova L. S., Kapitonov V. A., Murashova A. V., et al. // Semiconductors. 1999. V. 33. № 9. P. 1010—1012.
6. Mukai S. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. № 5. P. 2635.
7. Knauer A., Erbert G., Gramlich S., et al. // J. Electron. Mater. 1995. V. 24. № 11. P. 1655.
8. Seredin P. V., Domashevskaya É. P., Lukin A. N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. № 9. P. 1055—1061.
9. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. P. 4.
10. Goldberg Yu.A. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur. World Scientifi c, London, 1999.
11. Alperovich V. L., Bolkhovityanov Yu. B., Chikichev S. I., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. №. 9. P. 1054—1062.
12. Lamberti C. Surface Science Reports. 2004. P. 53.
13. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Dolgopolova E. A., et al. // Semiconductors. 2005. V. 39. № 3. P. 336—342.
14. Середин П. В. Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.