ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР GaAs:Cr МЕТОДАМИ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ И РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Ключевые слова:
GaAs, хром, легирование
Аннотация
Диффузия хрома в монокристаллические подложки GaAs(100) приводит к образованию переходного слоя GaAs:Cr. Легированный хромом слой GaAs имеет n-тип проводимости, но при этом обладает пониженной по сравнению с подложкой концентрацию электронов. При этом атомы хрома встраиваются в кристаллическую решетку арсенида галлия и занимают регулярные позиции атомов металлической подрешетки. Увеличение времени диффузии хрома в GaAs уменьшает количество поверхностных дефектов.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Опубликован
2015-12-25
Как цитировать
Федюкин, А. В., Середин, П. В., Фёклин, В. Н., Арсентьев, И. Н., & Harald, L. (2015). ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР GaAs:Cr МЕТОДАМИ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ И РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ. Конденсированные среды и межфазные границы, 17(4), 518-525. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/97
Выпуск
Раздел
Статьи
