КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ 2D АЛЛОТРОПОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Andrei V. Tuchin; Larisa А. Bityutskaya; Andrei V. Kalashnikov; Eugene N. Bormontov

doi:10.17308/kcmf.2017.19/240

Авторы

Andrei V. Tuchin Тучин Андрей Витальевич – к. ф.-м. н., доцент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (908) 1485775, e-mail: a.tuchin@bk.ru
Larisa А. Bityutskaya Битюцкая Лариса Александровна – к. х. н., доцент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru
Andrei V. Kalashnikov Калашников Андрей Васильевич – аспирант кафедры физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7(951) 5503243, e-mail: akalash49@gmail.com
Eugene N. Bormontov Бормонтов Евгений Николаевич – д. ф.-м. н., профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru

DOI:

https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/240

Ключевые слова:

SiC, 2D аллотропы, квантово-химическое моделирование, электронная структура

Аннотация

Методами квантовой химии проведено исследование электронной структуры аллотропов 2D SiC с числом слоев n = 1-3. Установлено, что 2D структуры карбида кремния образуют семейство полупроводниковых материалов с шириной запрещенной зоны от 1.132 до 2.150 эВ, а послойный рост структур определяет изменение типа проводника от прямозонного однослойного SiC к непрямозонному при числе слоев n = 2, 3. Исключением являются метастабильные структуры с шириной прямозонного перехода 1.339 и 1.132 эВ.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 16-43-360281 р_а)