ФЛУКТУАЦИИ ПЛОТНОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ ВАКАНСИЙ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ФАЗЕ СУЛЬФИДА ИНДИЯ НА ПОДЛОЖКАХ InAs
Abstract
Показано существование флуктуаций плотности распределения стехиометрических вакансий (СВ) в тонкоплёночной фазе In2S3, которая относится к полиморфным модификациям соединений A2IIIC3VI с упорядоченными вакансиями. Слои сульфида индия получены на подложках арсенида индия в квазизамкнутом объёме методом гетеровалентного замещения. Установлено влияние флуктуаций плотности распределения СВ на кинетику формирования слоёв сульфида индия. Скопления СВ в катионной подрешётке могут выступать в качестве центров локализации заряда.