ИССЛЕДОВАНИЯ АТОМНОГО И ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЁНОК a-SiOx:H, СИНТЕЗИРОВАННЫХ МЕТОДОМ ГАЗОСТРУЙНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ С АКТИВАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ПУЧКОВОЙ ПЛАЗМОЙ

Abstract

Рентгеноспектральными методами исследовалось электронное строение и фазовый состав тонких пленок a-SiO_x:H. Пленки синтезировались методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой. Показано, что поверхностные слои (5 нм) и более глубокие слои до 120 нм исследованных пленок представляют собой композит на основе аморфного кремния и оксидов кремния различной степени окисления. Показано, что содержание оксидов кремния растет с увеличением температуры подложки уже в процессе роста пленок. Присутствие субоксидов в пленках приводит к появлению заметной плотности свободных состояний ниже дна зоны проводимости в SiO₂, но выше, чем в аморфном гидрогенезированном кремнии.