АТОМНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ GaxIn1–xP: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ И МОРФОЛОГИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Аннотация

В работе на основе комплекса данных, полученных структурными и микроскопическими методами, изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1-xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных MOCVD на монокристаллических подложках GaAs (100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn1-xP на GaAs (100) появление атомного упорядочения приводят к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов GaxIn1-xP с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями.

Работа в части создания эпитаксиальных гетероструктур с высокими функциональными свойствами выполнена при поддержке гранта Президента РФ МД-188.2017.2 и МК-4865.2016.2.

Работа в части управления морфологией, составом поверхности и функциональными характеристиками низкоразмерных систем выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ 16-32-00020 мол_а.

Экспериментальные исследования были проведены с помощью научно-технической базы ЦКПНО ВГУ.