ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С ВКЛЮЧЕНИЯМИ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА

Abstract

Исследованы температурные зависимости диэлектрической проницаемости, проводимости и пироэлектрического заряда композиционных материалов на основе матриц из пористого кремния с включениями триглицинсульфата – ТГС и триглицинсульфата, легированного L, α-аланином – АТГС. Обнаружено расширение сегнетоэлектрической фазы по сравнению с монокристаллами ТГС и АТГС. Абсолютные значения измеренных параметров увеличиваются с ростом диаметра пор, а также во времени после выдержки в нормальных условиях среды. Рассчитаны значения энергии активации проводимости исследованных композитов.