MECHANISMS THE GROWTH OF THE FILMS In2S3 ON THE CRYSTAL InAs

  • Aleksandr V. Budanov
  • Nikolay Nikolaevich Bezryadin
  • Evgeniy V Rudnev
  • Evgeniy A. Tatokhin

Abstract

В работе проведен анализ механизмов, определяющих рост пленок In 2S3. Установлено, что наиболее су щественными в процесс е гетеровалентного замещения при росте пленок In 2S3 являются: адсорбция молекул серы (эффективная энергия десорбции 5,3 эВ), инжекция атомарной серы в приповерхностный слой твердой фазы In 2S3 и активация ее диффузии (3,3 эВ). Определены относительная диэлектрическая проницаемость (ε = 13,5÷13,6) пленок In 2S3 и геометрические размеры переходных областей в гетеросистемах In 2S3 – InAs , полученных методом термостимулированного гетеровалентного замещения в анионной подрешетке. Размер переходной области (порядка 30 нм) сохраняется для пленок толщиной от 200 нм до 2500 нм.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Aleksandr V. Budanov

ass ociate profess or of department of Physics, Voronezh State University of Engineering Technology; tel.: (903) 8527719, e-mail: budanova9@gmail. com

Nikolay Nikolaevich Bezryadin

profess or of department of Physics, Voronezh State University of Engineering Technologies; tel.: (960) 1240579, e-mail: phys@vgta.vrn. ru

Evgeniy V Rudnev

ass ociate profe or of department of Solid State Physics and Nanostructures, Voronezh State University; tel.: (951) 8764844, e-mail: rudneff@mail.ru

Evgeniy A. Tatokhin

ass ociate profess or of department of Physics, Voronezh State University of Engineering Technology; tel.: (920) 2186892, e-mail: teakph43@gmail. com

References

1. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Буданов А. В и др. // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 6. С. 591—594.
2. Безрядин Н. Н., Татохин Е. А., Буданов А. В. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 12. С. 1447—1449.
3. Безрядин Н. Н. Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // ПТЭ. 1998. № 5. С. 150—152.
4. Антюшин В. Ф., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Изв. ВУЗо сер. Электроника. 2002. № 5. С. 9—12.
5. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: «Высшая школа», 1973. 655 с.
6. Гринглер Р. Применение термической десорбции, инфракрасной спектроскопии и эллипсометрии для
исследования поверхности / Под ред. В. Б. Сандомирского и А. Г. Ждана. М.: «Мир», 1977. С. 136—163.
7. Некрасов Б. В. Основы общей химии. М.: «Химия», Т. 1. 1973. 391 с.
8. Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковы е халькогениды и сплавы на их основе. М.: «Наука», 1975. 220 с.
Published
2013-03-13
How to Cite
Budanov, A. V., Bezryadin, N. N., Rudnev, E. V., & Tatokhin, E. A. (2013). MECHANISMS THE GROWTH OF THE FILMS In2S3 ON THE CRYSTAL InAs. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 15(1), 5-9. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/869
Section
Статьи