МЕХАНИЗМЫ РОСТА ПЛЕНОК In2S3 НА КРИСТАЛЛАХ InAs
Ключевые слова:
тонкие пленки, гетеровалентное замещение, диффузионно-кинетические процессы.
Аннотация
В работе проведен анализ механизмов, определяющих рост пленок In 2S3. Установлено, что наиболее су щественными в процесс е гетеровалентного замещения при росте пленок In 2S3 являются: адсорбция молекул серы (эффективная энергия десорбции 5,3 эВ), инжекция атомарной серы в приповерхностный слой твердой фазы In 2S3 и активация ее диффузии (3,3 эВ). Определены относительная диэлектрическая проницаемость (ε = 13,5÷13,6) пленок In 2S3 и геометрические размеры переходных областей в гетеросистемах In 2S3 – InAs , полученных методом термостимулированного гетеровалентного замещения в анионной подрешетке. Размер переходной области (порядка 30 нм) сохраняется для пленок толщиной от 200 нм до 2500 нм.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Буданов А. В и др. // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 6. С. 591—594.
2. Безрядин Н. Н., Татохин Е. А., Буданов А. В. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 12. С. 1447—1449.
3. Безрядин Н. Н. Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // ПТЭ. 1998. № 5. С. 150—152.
4. Антюшин В. Ф., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Изв. ВУЗо сер. Электроника. 2002. № 5. С. 9—12.
5. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: «Высшая школа», 1973. 655 с.
6. Гринглер Р. Применение термической десорбции, инфракрасной спектроскопии и эллипсометрии для
исследования поверхности / Под ред. В. Б. Сандомирского и А. Г. Ждана. М.: «Мир», 1977. С. 136—163.
7. Некрасов Б. В. Основы общей химии. М.: «Химия», Т. 1. 1973. 391 с.
8. Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковы е халькогениды и сплавы на их основе. М.: «Наука», 1975. 220 с.
2. Безрядин Н. Н., Татохин Е. А., Буданов А. В. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 12. С. 1447—1449.
3. Безрядин Н. Н. Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // ПТЭ. 1998. № 5. С. 150—152.
4. Антюшин В. Ф., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Изв. ВУЗо сер. Электроника. 2002. № 5. С. 9—12.
5. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: «Высшая школа», 1973. 655 с.
6. Гринглер Р. Применение термической десорбции, инфракрасной спектроскопии и эллипсометрии для
исследования поверхности / Под ред. В. Б. Сандомирского и А. Г. Ждана. М.: «Мир», 1977. С. 136—163.
7. Некрасов Б. В. Основы общей химии. М.: «Химия», Т. 1. 1973. 391 с.
8. Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковы е халькогениды и сплавы на их основе. М.: «Наука», 1975. 220 с.
Опубликован
2013-03-13
Как цитировать
Budanov, A. V., Bezryadin, N. N., Rudnev, E. V., & Tatokhin, E. A. (2013). МЕХАНИЗМЫ РОСТА ПЛЕНОК In2S3 НА КРИСТАЛЛАХ InAs. Конденсированные среды и межфазные границы, 15(1), 5-9. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/869
Выпуск
Раздел
Статьи
