МЕХАНИЗМЫ РОСТА ПЛЕНОК In2S3 НА КРИСТАЛЛАХ InAs
Ключевые слова:
тонкие пленки, гетеровалентное замещение, диффузионно-кинетические процессы.
Аннотация
В работе проведен анализ механизмов, определяющих рост пленок In 2S3. Установлено, что наиболее су щественными в процесс е гетеровалентного замещения при росте пленок In 2S3 являются: адсорбция молекул серы (эффективная энергия десорбции 5,3 эВ), инжекция атомарной серы в приповерхностный слой твердой фазы In 2S3 и активация ее диффузии (3,3 эВ). Определены относительная диэлектрическая проницаемость (ε = 13,5÷13,6) пленок In 2S3 и геометрические размеры переходных областей в гетеросистемах In 2S3 – InAs , полученных методом термостимулированного гетеровалентного замещения в анионной подрешетке. Размер переходной области (порядка 30 нм) сохраняется для пленок толщиной от 200 нм до 2500 нм.
Скачивания
Литература
1. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Буданов А. В и др. // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 6. С. 591—594.
2. Безрядин Н. Н., Татохин Е. А., Буданов А. В. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 12. С. 1447—1449.
3. Безрядин Н. Н. Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // ПТЭ. 1998. № 5. С. 150—152.
4. Антюшин В. Ф., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Изв. ВУЗо сер. Электроника. 2002. № 5. С. 9—12.
5. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: «Высшая школа», 1973. 655 с.
6. Гринглер Р. Применение термической десорбции, инфракрасной спектроскопии и эллипсометрии для
исследования поверхности / Под ред. В. Б. Сандомирского и А. Г. Ждана. М.: «Мир», 1977. С. 136—163.
7. Некрасов Б. В. Основы общей химии. М.: «Химия», Т. 1. 1973. 391 с.
8. Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковы е халькогениды и сплавы на их основе. М.: «Наука», 1975. 220 с.
2. Безрядин Н. Н., Татохин Е. А., Буданов А. В. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 12. С. 1447—1449.
3. Безрядин Н. Н. Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // ПТЭ. 1998. № 5. С. 150—152.
4. Антюшин В. Ф., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Изв. ВУЗо сер. Электроника. 2002. № 5. С. 9—12.
5. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: «Высшая школа», 1973. 655 с.
6. Гринглер Р. Применение термической десорбции, инфракрасной спектроскопии и эллипсометрии для
исследования поверхности / Под ред. В. Б. Сандомирского и А. Г. Ждана. М.: «Мир», 1977. С. 136—163.
7. Некрасов Б. В. Основы общей химии. М.: «Химия», Т. 1. 1973. 391 с.
8. Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковы е халькогениды и сплавы на их основе. М.: «Наука», 1975. 220 с.
Опубликован
2013-03-13
Как цитировать
Budanov, A. V., Bezryadin, N. N., Rudnev, E. V., & Tatokhin, E. A. (2013). МЕХАНИЗМЫ РОСТА ПЛЕНОК In2S3 НА КРИСТАЛЛАХ InAs. Конденсированные среды и межфазные границы, 15(1), 5-9. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/869
Выпуск
Раздел
Статьи
