Спектромикроскопические исследования пористого оксида кремния на кремнии с использованием синхротронного излучения

  • Елена Владимировна Паринова Воронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж 394018, Российская Федерация https://orcid.org/0000-0003-2817-3547
  • Дмитрий Марченко Helmholtz Zentrum Berlin, Albert Einstein str., 15, Berlin 12489, Germany
  • Александр Кириллович Федотов НИУ “Институт ядерных проблем” БГУ, Бобруйская ул., 11, Минск 220006, Республика Беларусь
  • Дмитрий Анатольевич Коюда Воронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж 394018, Российская Федерация
  • Юлия Александровна Федотова НИУ “Институт ядерных проблем” БГУ, Бобруйская ул., 11, Минск 220006, Республика Беларусь https://orcid.org/0000-0002-4471-0552
  • Руслан Овсянников Helmholtz Zentrum Berlin, Albert Einstein str., 15, Berlin 12489, Germany https://orcid.org/0000-0001-6311-5516
  • Сергей Юрьевич Турищев Воронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж 394018, Российская Федерация https://orcid.org/0000-0003-3320-1979
Ключевые слова: диоксид кремния,, субмикронные поры,, атомное и электронное строение,, синхротронное излучение,, XANES,, фотоэмиссионная электронная микроскопия,, локальное атомное окружение

Аннотация

Работа посвящена микроскопическим синхротронным исследованиям морфологии, атомного и электронного строения массива пор субмикронного размера в слое SiO2 на кремнии,  cформированного с использованием ионно-трековой технологии в комбинации с последующим за облучением химическим травлением. Методом исследования являлась фотоэмиссионная электронная микроскопия с использованием синхротронного излучения высокой интенсивности. Метод использовался в двух режимах. Использование химически селективной электронной
микроскопии позволило получить морфологическую информацию об изучаемом массиве пор. Рентгеноспектральный режим спектроскопии ближней тонкой структуры края синхротронного излучения рентгеновского диапазона позволил получить информацию о специфике локального окружения атомов заданного сорта от микроскопических областей нанометровых и субмикронных участков полученных микроскопических изображений. Поры имеют достаточно резкие границы, без переходного слоя. Дном пор является подложка - кристаллический кремний, покрытый естественным оксидом, толщина которого составляет величины около 2-3 нм. Облучение ионами и
химическое травление не оказывают существенного влияния на структурно-фазовые характеристики пористой матрицы оксида кремния. Не наблюдается существенного разупорядочения в кремнии, доступном на дне отдельных пор. Технологические загрязнения отсутствуют. Показана эффективность использования ионно-трековой технологии в комбинации с последующим за облучением химическим травлением для формирования массивов обособленных пор близких размеров субмикронного диапазона. Полученные результаты демонстрируют эффективность в применении метода фотоэмиссионной электронной микроскопии с использованием синхротронного излучения
высокой интенсивности для изучения с высокой точностью и в микроскопическом масштабе широкого ряда объектов композитной структурно-фазовой природы поверхности.

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

  1. Sinha D., Petrov A., Fink D., Fahrner W. R., Hoppe K., and Chandra A. Tempos structures with gold nanoclusters. Radiation Effects and Defects in Solids. 2004;159(8–9): 517–533. DOI:
    https://doi.org/10.1080/10420150412331304187
  2. Kaniukov E. Yu., Ustarroz J., Yakimchuk D. V., Petrova M., Terryn H., Sivakov V., Petrov A. V. Tunable nanoporous silicon oxide templates by swift heavy ion tracks technology. Nanotechnology. 2016;27(11): 115305. DOI: https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/11/115305
  3. Ivanou D. K., Streltsov Е. A., Fedotov A. K., Mazanik A. V., Fink D., Petrov A. Electrochemical deposition of PbSe and CdTe nanoparticles onto p-Si(100) wafers and into nanopores in SiO2/Si(100) structure. Thin Solid Films. 2005;490(2): 154–160. DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.04.046
  4. Ivanova Yu. A., Ivanou D. K., Fedotov A. K., Streltsov Е. A., Demyanov S. E., Petrov A. V., Kaniukov E. Yu., Fink D. Electrochemical deposition of Ni and Cu onto monocrystalline n-Si(100) wafers and into nanopores in Si/SiO2 template J. Materials Science. 2007;42(22): 9163–9169. DOI: https://doi.org/10.1007/s10853-007-1926-x
  5. Fink D., Alegaonkar P. S., Petrov A. V., Wilhelm M., Szimkowiak P., Behar M., Sinha D., Fahrner W. R., Hoppe K., Chadderton L. T. Electrochemical deposition of Ni and Cu onto monocrystalline n-Si(100) wafers and into nanopores in Si/SiO2 template. Nucl. Instr. Meth B. 2005;236(1–4): 11–20. DOI: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.03.243
  6. Mosier-Boss P. Review of SERS substrates for chemical sensing. Nanomaterials. 2017;7(6): 142. DOI: https://doi.org/10.3390/nano7060142
  7. Jahn M., Patze S., Hidi I. J., Knipper R., Radu A. I., Muhlig A., Yuksel S., Peksa V., Weber K., Mayerhofer T., Cialla-May D., Popp J. Plasmonic nanostructures for surface enhanced spectroscopic methods. Analyst. 2016;141(3): 756–793. DOI: https://doi.org/10.1039/c5an02057c
  8. Turishchev S. Yu., Parinova E. V., Pisliaruk A. K., Koyuda D. A., Yermukhamed D., Ming T., Ovsyannikov R., Smirnov D., Makarova A., Sivakov V. Surface deep profile synchrotron studies of mechanically modifi ed top-down silicon nanowires array using ultrasoft X-ray absorption near edge structure spectroscopy. Scientifi c Reports. 2019;9(1): 8066. DOI: https:// doi.org/10.1038/s41598-019-44555-y
  9. Liu L., Sham T. K. The effect of thermal oxidation on the luminescence properties of nanostructured silicon. Small. 2012;8(15): 2371–2380. DOI: https://doi.org/10.1002/smll.201200175
  10. Barranco A., Yubero F., Espinos J.P., Groening P., Gonzalez-Elipe A. R. Electronic state characterization of SiOx thin fi lms prepared by evaporation. J. Appl. Phys. 2005;97(11): 113714. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1927278
  11. Паринова Е. В., Федотов А. К., Коюда Д. А., Федотова Ю. А., Стрельцов Е. А., Малащенок Н. В., Ovsyannikov R., Турищев С. Ю. Изучение особенностей формирования композитных структур на основе столбиков никеля в матрице диоксида кремния с помощью синхротронных XANES исследований в режиме регистрации выхода электронов или фотонов. Конденсированные среды и межфазные границы. 2019;21(1): 116–125. DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2019.21/726
  12. Kleineberg U., Haindl G., Hutten A., Reiss G., Gullikson E.M., Jones M.S., Mrowka S., Rekawa S. B., Underwood J. H. Microcharacterization of the surfaceoxidation of Py/Cu multilayers by scanning X-ray absorption spectromicroscopy. Appl. Phys. A. 2001;73(4): 515–519. DOI: https://doi.org/10.1007/s003390100801
  13. Шмаль Г., Рудольф Д. Рентгеновская оптика и микроскопия. Пер. с англ. М.: Мир: 1987. 464 с.
  14. Polishchuk I., Bracha A. A., Bloch L., Levy D., Kozachkevich S., Etinger-Geller Y., Kauffmann Y., Burghammer M., Giacobbe C., Villanova J., Hendler G., Chang-Yu Sun, Giuffre A. J., Marcus M. A., Kundanati L., Zaslansky P., Pugno N. M., Gilbert G. P., Katsman A., Pokroy B. Coherently aligned nanoparticles within a biogenic single crystal: a biological prestressing strategy. Science. 2017;358(6368): 1294–1298. DOI: https://doi.org/10.1126/science.aaj2156
  15. Kalegowda Y., Chan Y-L., Wei D-H., Harmer S. L. X-PEEM, XPS and ToF-SIMS characterisation of xanthate induced chalcopyrite fl otation: Effect of pulp potential. Surface Science. 2015;635: 70–77. DOI: https://doi.org/10.1016/j.susc.2014.12.012
  16. Турищев С. Ю., Паринова Е. В., Кронаст Ф., Овсянников Р., Малащенок Н. В., Стрельцов Е. А., Иванов Д. К., Федотов А. К. Фотоэмиссионная электронная микроскопия массивов субмикронных столбиков никеля в матрице диоксида кремния. ФТТ. 2014;56(9): 1851–1860. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783414090297
  17. Турищев С. Ю., Паринова Е. В., Федотова Ю. А., Мазаник А. В., Федотов А. К., Апель П. Ю. Характеризация массивов субмикронных столбиков никеля в матрице диоксида кремния микроскопическими методами. Конденсированные среды и межфазные границы. 2013;15(1): 54–58. Режим доступа: https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/878
  18. Kasrai M., Lennard W. N., Brunner R. W., Bancroft G. M., Bardwell J. A., Tan K. H. Sampling depth of total electron and fl uorescence measurements in Si L- and K-edge absorption spectroscopy. Appl. Surf. Science. 1996;99(4): 303–312. DOI: https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00454-0
  19. Зимкина Т. М., Фомичев В. А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Ленинград: Изд-во ЛГУ; 1971. 132 c.
  20. Stohr J. NEXAFS Spectroscopy. Berlin: Springer, 1992. 403 p. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-02853-7
  21. Brown F. C., Rustgi O. P., Extreme ultraviolet transmission of crystalline and amorphous silicon. Phys. Rev. Let. 1972;28(8): 497–500. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.28.497
  22. Turishchev S. Yu., Terekhov V. A., Parinova E. V., Korolik O. V., Mazanik A. V., Fedotov A. K. Surface modifi cation and oxidation of Si wafers after low energy plasma treatment in hydrogen, helium and argon. Materials Science in Semiconductor Processing. 2013;16(6): 1377–1381. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.04.020
  23. Domashevskaya E. P., Terekhov V. A., Turishchev S. Yu., Khoviv D. A., Parinova E. V., Skryshevskii V. A., Gavril’chenko I. V. Peculiarities of electron-energy structure of surface layers of porous silicon formed on p-type substrates. Inorganic Materials. 2012;48(14): 1291–1297. DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168512140063

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Биографии авторов

Елена Владимировна Паринова, Воронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж 394018, Российская Федерация

к. ф.-м. н., н. с. совместной лаборатории «Электронное строение твердого тела» Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; email: parinova@phys.vsu.ru. 

Дмитрий Марченко, Helmholtz Zentrum Berlin, Albert Einstein str., 15, Berlin 12489, Germany

к. ф.-м. н., исследователь Гельмгольц Центр Берлин, Берлин, Германия; e-mail: marchenko.dmitry@gmail.com

Александр Кириллович Федотов, НИУ “Институт ядерных проблем” БГУ, Бобруйская ул., 11, Минск 220006, Республика Беларусь

д. ф.-мат. н., профессор, Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь; e-mail: fedotov@bsu.by.

Дмитрий Анатольевич Коюда, Воронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж 394018, Российская Федерация

к. ф.-мат. н., м. н. с. совместной лаборатории «Электронное строение твердого тела» Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: koyuda@phys.vsu.ru.

Юлия Александровна Федотова, НИУ “Институт ядерных проблем” БГУ, Бобруйская ул., 11, Минск 220006, Республика Беларусь

д. ф.-м. н., зам. директора НИУ «Институт ядерных проблем» БГУ, Минск, Республика Беларусь; e-mail: julia@hep.by.

Руслан Овсянников, Helmholtz Zentrum Berlin, Albert Einstein str., 15, Berlin 12489, Germany

PhD, н. с. Гельмгольц Центр Берлин, Берлин, Германия; e-mail: ovsyannikov@helmholtz-berlin.de. .

Сергей Юрьевич Турищев, Воронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж 394018, Российская Федерация

д. ф.-мат. н., доцент кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: tsu@phys.vsu.ru. ORCID iD:

Опубликован
2020-03-20
Как цитировать
Паринова, Е. В., Марченко, Д., Федотов, А. К., Коюда, Д. А., Федотова, Ю. А., Овсянников, Р., & Турищев, С. Ю. (2020). Спектромикроскопические исследования пористого оксида кремния на кремнии с использованием синхротронного излучения. Конденсированные среды и межфазные границы, 22(1). https://doi.org/10.17308/kcmf.2020.22/2532
Раздел
Статьи

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)