ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СОСТАВ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2 ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Abstract
В работе представлены результаты исследований электронного строения и фазового состава многослойных нанопериодических структур a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2 синхротронным методом спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения. Исследованные структуры были подвергнуты температурному отжигу в диапазоне 500–1100 °С с целью формирования наночастиц Si для реализации фотолюминесцентных свойств. Показана заметная перестройка электронно-энергетического спектра, вызванная изменениями в составе поверхностных слоев изученных структур. Обсуждается различный вклад субоксидов кремния и образование нанокристаллов Si в изученных наноструктурах.