SUBMICRON Ni RODS MASSIVES DISTRIBUTED IN SILICON DIOXIDE MATRIX MICROSCOPIC CHARACTERIZATION
Abstract
Масс ивы столбиков Ni диаметром ~ 500 нм в матрице SiO2, сформированных при помощи трековой технологии, исс ледовались методами растровой электронной микроскопии, атомно-с иловой микроскопии и фотоэмисс ионной электронной микроскопии с использованием выс окоинтенсивного синхротронного излучения. Показано, что с применением технологии темплатно-асс истированного синтеза на основе электрохимического осаждения металлического никеля, столбики металла формируются случайным образом и преимущественно группами, внутри которых они в основном соединены тонкими перегородками шириной ~ 50 нм. Формирование столбиков также сопровождается образованием «шляпки», отстоящей от поверхности матрицы диоксида кремния. Получены микроскопические данные по распределению остаточной намагниченности.
Downloads
References
2. Shang H., Cao G., in: Springer Handbook of Nanotechnology, Ed. B. Brushan, Springer, Berlin 2007. P. 161.
3. Fink D., Sinha D., Opitz-Coutureau J., et al. in: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures (Reviews and Short Notes to Nanomeeting. 2005, Mins k, Belarus 2005), Eds. V E. Borisenko, S V. Gaponenko, V. S. Gurin, World Scientific, Singapore, 2005. P. 474.
4. Fedotova J., Ivanou D., Ivanova Y., et al. // Acta Physica Polonica A. 2011. V. 120. P. 133—135.
5. Ivanova Yu. A., Ivanou D. K., Fedotov A. K., et al. // J Mater Sci. 2007. V. 42. P. 9163—9169.
6. Seifarth O., Krenek R., Tokarev I., et al. // Thin Solid Films. 2007. V. 515. 16. P. 6552—6556.
7. Рентгеновс кая оптика и микроскопия: Пер. с англ. / под ред. Г. Шмаля и Д. Рудольфа. М.: Мир, 1987. 464 с.
8. Regan T. J., Ohldag H., Stamm C., et al. // Phys. Rev.B. 2001. V. 64. P. 214422.
