ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlxGa1–xAs/GaAs(100), ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ, С ВЫСОКОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛЕГИРОВАННИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЕМ

Pavel V. Seredin

Authors

Pavel V. Seredin senior staff scientist, Solid state physic and nanostructures department of Voronezh State University; tel.: (4732) 208363, e-mail: paul@ phys.vsu.ru

Keywords:

гетероструктуры, AlxGa1–xAs, легирование кремнием, DX-центры.

Abstract

В работе исследовались гетероструктуры AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальные структуры GaAs:Si/GaAs(100), выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. Зафиксированные в проведенных нами экспериментах изменения, происходящие в высоколегированных твердых растворах AlxGa1–xAs, ведут не только к перестройке электронной плотности и образованию глубоких уровней (DX-центров) с последующей релаксацией кристаллической решетки твердого раствора, но и как главное следствие указывают на образование четверного раствора замещения типа AlxGa1–x–ySiy+zAs1–z выращенный на подложке GaAs(100).