ТРАНЗИТНОЕ И КАТАЛИТИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIIBV С НАНЕСЕННЫМИ НАНОРАЗМЕРНЫМИ СЛОЯМИ ОКСИДОВ КОБАЛЬТА И ВАНАДИЯ РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНЫ

Boris V. Sladkopevtcev; Alexander A. Lapenko; Alexei A. Samsonov; Elena V. Tomina; Irina Ya. Mittova

Authors

Boris V. Sladkopevtcev the post-graduate student; Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (905) 6505334, email: sladkopevtcev@km.ru
Alexander A. Lapenko engineer, Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu. ru
Alexei A. Samsonov assistant, Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu. ru
Elena V. Tomina professor assistant, Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@ chem.vsu.ru
Irina Ya. Mittova doctor of chemical sciences, professor; Science of Materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru

Keywords:

гетероструктура, хемостимулированное окисление, транзит, катализ, арсе- нид галлия, фосфид индия.

Abstract

Установлено влияние количества нанесенного на поверхность AIIIBV хемостимулятора на процесс окисления полупроводника при развитии транзитного, либо каталитического воздействия хемостимулятора. При реализации транзитного взаимодействия слой нанесенного оксида d-металла практически необратимо расходуется в процессе окисления. При уменьшении толщины слоя оксида-транзитора на поверхности полупроводника быстрее происходит его полная трансформация в продукты вторичного взаимодействия. В случае каталитического механизма окисления количество нанесенного хемостимулятора заметно не влияет на кинетические параметры процесса, что связано с быстрой регенерацией высокой степени окисления активного элемента хемостимулятора.