ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ ВЫСОКОЛЕГИРОВАННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ AlxGa1-xAs1-yPy:Mg
Ключевые слова:
эпитаксиальные гетероструктуры, AlxGa1-xAs1-yPy, акцепторная примесь, магний.
Аннотация
Методами высокоразрешающей рентгеновской дифракции нами были изучены
структурные свойства МОС-гидридных твердых растворов (AlxGa1-xAs1-yPy):Mg. Было показано, что введение примеси магния в четырехкомпонентных твердый раствор приводит к образованию пятикомпонентных твердых растворов на основе системы AlxGa1-xAs1-yPy: Mg по сложному механизму, что ведет к возникновению композиционного беспорядка в эпитаксиальном слое.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Alferov Zh. I. // Semiconductors 1998. V. 32. № . 1. P. 1—14.
2. Timo G., Flores C., Campesato R. // Cryst.Res. Technol. 2005. V. 40. № 10—11. P. 1043—1047.
3. Domashevskaya E. P., Kashkarov V. M., Seredin P. V. et. al. // Mater. Sci. Eng. B. 2008. V. 147. № 2—3. P. 144—147.
4. Середин П. В. // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
5. Seredin P. V., Domashevskaya É. P., Lukin A. N. et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. № 9. P. 1055—1061.
6. Zhang D. H., Radhakrishnan K. and Yoon S. F. // J. Crystal Growth. 1995. V. 148. № . 1—2. P. 35—40.
7. Zheng H. Q., Radhakrishnan K., Wang H. et. al. // J. Crystal Growth. 1999. V. 197. № . 4. P. 762—768.
8. Середин П. В., Терновая В. Е., Глотов А. В. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. № 10 С. 2046—2049.
9. Ilegems M. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 1278. 10. Min Su Kim, Do Yeob Kim, Tae Hoon Kim et. al. // Journal of the Korean Physical Society. 2009. V. 54. № . 2. P. 673—677.
11. Uchida K. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 248. P. 124—129.
12. Seredin P. V., Glotov A. V., Lenshin A. S. et al. // Semiconductors. 2014. V. 48. № . 1. P. 21—29.
13. Mimila-Arroyo J., Brand S. W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1164.
14. Monier C. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 2103.
15. Xu J., Towe E., Yuan Q. and Hull R. // J. Crystal Growth. 1999. V. 196. № . 1. P. 26—32.
16. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Dolgopolova É. A. et al. // Semiconductors. 2005. V. 39. № 3. P. 336—342.
17. Domashevskaya E. P., Gordienko N. N., Rumyantseva N. A. et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. № 9. P. 1069—1075.
18. Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V. E. et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. № 4. P. 481—492.
19. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 6. P. 719—729.
20. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et al. // Physica B: Condensed Matter. 2010. V. 405. № 12. P. 2694—2696.
21. Seredin P., Glotov A., Domashevskaya E. P. et al. // NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics. 2010. P. 225—236.
22. Середин П. В., Домашевская Э. П., Терновая В. Е. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 10. С. 2054—2057
23. Jusserand B. and Sapriel J. // Phys. Rev. B. 1981. V. 24. P. 7194.
24. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et al. // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 267. P. 181—184
25. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Physica B: Condensed Matter. 2010. V. 405. I. 22. 15. P. 4607—4614
26. Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V.E et. al. // Semiconductors. 2011. V. 45. I.11. P. 1433—1440.
2. Timo G., Flores C., Campesato R. // Cryst.Res. Technol. 2005. V. 40. № 10—11. P. 1043—1047.
3. Domashevskaya E. P., Kashkarov V. M., Seredin P. V. et. al. // Mater. Sci. Eng. B. 2008. V. 147. № 2—3. P. 144—147.
4. Середин П. В. // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
5. Seredin P. V., Domashevskaya É. P., Lukin A. N. et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. № 9. P. 1055—1061.
6. Zhang D. H., Radhakrishnan K. and Yoon S. F. // J. Crystal Growth. 1995. V. 148. № . 1—2. P. 35—40.
7. Zheng H. Q., Radhakrishnan K., Wang H. et. al. // J. Crystal Growth. 1999. V. 197. № . 4. P. 762—768.
8. Середин П. В., Терновая В. Е., Глотов А. В. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. № 10 С. 2046—2049.
9. Ilegems M. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 1278. 10. Min Su Kim, Do Yeob Kim, Tae Hoon Kim et. al. // Journal of the Korean Physical Society. 2009. V. 54. № . 2. P. 673—677.
11. Uchida K. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 248. P. 124—129.
12. Seredin P. V., Glotov A. V., Lenshin A. S. et al. // Semiconductors. 2014. V. 48. № . 1. P. 21—29.
13. Mimila-Arroyo J., Brand S. W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1164.
14. Monier C. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 2103.
15. Xu J., Towe E., Yuan Q. and Hull R. // J. Crystal Growth. 1999. V. 196. № . 1. P. 26—32.
16. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Dolgopolova É. A. et al. // Semiconductors. 2005. V. 39. № 3. P. 336—342.
17. Domashevskaya E. P., Gordienko N. N., Rumyantseva N. A. et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. № 9. P. 1069—1075.
18. Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V. E. et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. № 4. P. 481—492.
19. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 6. P. 719—729.
20. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et al. // Physica B: Condensed Matter. 2010. V. 405. № 12. P. 2694—2696.
21. Seredin P., Glotov A., Domashevskaya E. P. et al. // NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics. 2010. P. 225—236.
22. Середин П. В., Домашевская Э. П., Терновая В. Е. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 10. С. 2054—2057
23. Jusserand B. and Sapriel J. // Phys. Rev. B. 1981. V. 24. P. 7194.
24. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et al. // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 267. P. 181—184
25. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Physica B: Condensed Matter. 2010. V. 405. I. 22. 15. P. 4607—4614
26. Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V.E et. al. // Semiconductors. 2011. V. 45. I.11. P. 1433—1440.
Опубликован
2014-03-14
Как цитировать
Seredin, P. V., Lenshin, A. S., Glotov, A. V., Arsentyev, I. N., Prutskij, T., & Leiste, H. (2014). ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ ВЫСОКОЛЕГИРОВАННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ AlxGa1-xAs1-yPy:Mg. Конденсированные среды и межфазные границы, 16(1), 72-78. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/807
Выпуск
Раздел
Статьи
