ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ МАССИВОВ НИТЕВИДНОГО КРЕМНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО МЕТОДОМ MAWCE
Abstract
С использованием метода металл-ассистированного химического травления (англ. MAWCE) на подложках кристаллического кремния различной проводимости были получены массивы нитевидного Si. Морфология сформированных массивов и отдельных нитей была изучена методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии. Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения с использованием синхротронного излучения исследован фазовый состав поверхности и приповерхностных слоев, а также электронное строение сформированных массивов нитевидного кремния. Образец, которому свойственна более развитая поверхность массивов кремниевых нитей и меньшее удельное сопротивление подложки, окислен сильнее с образованием фаз промежуточных оксидов кремния при глубинах анализа от 10 нм до 120 нм. В то же время, другой образец, сформированный на подложке с высоким удельным сопротивлением, в существенно меньшей степени подвержен естественному окислению, и с увеличением глубины анализа содержит в основном фазу кристаллического кремния. Обнаружен эффект аномального провала интенсивности тонкой структуры края рентгеновского поглощения для нитей, сформированных на подложке с высоким удельным сопротивлением. Сделано предположение о природе и механизме наблюдаемого явления.
