P-T-x ДИАГРАММА СИСТЕМЫ Sn—P

Abstract

По результатам  рентгенофазового, дифференциально - термического анализа и оптико-тензиметрического метода исследования построена P-T-x диаграмма системы Sn–P. Установлено, что нонвариантная точка Е, отвечающая эвтектическому процессу L2↔ Sn₄P₃+SnP₃, реализуется при температуре 824 К и давлении 2.8 атм. Наличие синтектики Sn₄P₃+L₁+L₂+V приводит к появлению нонвариантной точки (т.К), которая  имеет координаты  836 К  и 0.6 атм.