РОЛЬ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ V2O5 В ПРОЦЕССЕ ОКИСЛЕНИЯ InP

Boris V. Sladkopevtcev; Elena V. Tomina; Irina Ya. Mittova

Authors

Boris V. Sladkopevtcev the post-graduate student; Science of Materials and Industry of Nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (905) 6505334, email: sladkopevtcev@km.ru
Elena V. Tomina PhD (chemical sciences), associate professor, Science of Materials and Industry of Nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (473) 2208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru
Irina Ya. Mittova grand PhD (chemical sciences), professor, Science of Materials and Industry of Nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (473) 2208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru

Keywords:

фосфид индия, оксид ванадия (V), хемостимулированное окисление, остров- ковые наноструктуры, электровзрыв.

Abstract

Методом электровзрыва проводника сформированы наноостровковые структуры (V2O5)InP. Установлено влияние условий электровзрывного синтеза (расстояния между взрываемой проволокой и подложкой, длины проволоки, давления газа в системе) на характеристики полученных островков V2O5. Показано, что нанесенные на поверхность InP островки оксида ванадия выступают в роли активных центров в процессе термического окисления полупроводника при температурах 400, 500 и 550 °С. Максимальное увеличение скорости роста пленок на поверхности InP с островками по сравнению с собственным окислением проявляется на начальном (до 10 минут) этапе процесса. Изучена морфология поверхности полученных слоев на фосфиде индия.