РОЛЬ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ V2O5 В ПРОЦЕССЕ ОКИСЛЕНИЯ InP

Boris V. Sladkopevtcev; Elena V. Tomina; Irina Ya. Mittova

РОЛЬ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ V2O5 В ПРОЦЕССЕ ОКИСЛЕНИЯ InP

Авторы

Boris V. Sladkopevtcev Сладкопевцев Борис Владимирович — аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: (905) 6505334, e-mail: sladkopevtcev@km.ru
Elena V. Tomina Томина Елена Викторовна — к.х.н., доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru
Irina Ya. Mittova Миттова Ирина Яковлевна — д.х.н., профессор кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru

Ключевые слова:

фосфид индия, оксид ванадия (V), хемостимулированное окисление, остров- ковые наноструктуры, электровзрыв.

Аннотация

Методом электровзрыва проводника сформированы наноостровковые структуры (V2O5)InP. Установлено влияние условий электровзрывного синтеза (расстояния между взрываемой проволокой и подложкой, длины проволоки, давления газа в системе) на характеристики полученных островков V2O5. Показано, что нанесенные на поверхность InP островки оксида ванадия выступают в роли активных центров в процессе термического окисления полупроводника при температурах 400, 500 и 550 °С. Максимальное увеличение скорости роста пленок на поверхности InP с островками по сравнению с собственным окислением проявляется на начальном (до 10 минут) этапе процесса. Изучена морфология поверхности полученных слоев на фосфиде индия.

Скачивания

Данные по скачиваниям пока не доступны.

Библиографические ссылки

Загрузки

Опубликован

2011-03-10

Выпуск

Том 13 № 1 (2011)

Раздел

Статьи

Как цитировать

РОЛЬ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ V2O5 В ПРОЦЕССЕ ОКИСЛЕНИЯ InP. (2011). Конденсированные среды и межфазные границы, 13(1), 96-104. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1027