ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ПОМОЩИ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

Evgeny V. Goncharenko; Tatiana G. Menshikova; Margarita V. Grechkina; Eugene N. Bormontov

doi:10.17308/kcmf.2017.19/176

Авторы

Evgeny V. Goncharenko Гончаренко Евгений Владимирович – аспирант 1 года обучения физического факультета, Воронежский государственный университет; е-mail: zews-00@mail.ru
Tatiana G. Menshikova Меньшикова Татьяна Геннадьевна – к. ф.-м. н., доцент кафедры полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; е-mail: menshikova.vrn@mail.ru
Margarita V. Grechkina Гречкина Маргарита Владимировна – инженер ЦКП НО ВГУ, Воронежский государственный университет; e-mail: grechkina_m@mail.ru
Eugene N. Bormontov Бормонтов Евгений Николаевич – д. ф. – м. н., профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru

DOI:

https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/176

Ключевые слова:

плазменная обработка, алюминиевая металлизация, контактная площадка, ультразвуковая сварка, программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС)

Аннотация

Разработана технология плазменного травления алюминиевой металлизации, приводящая к улучшению качества сварного шва и к 100% присоединению внутреннего вывода к контактным площадкам кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС). Представлены показатели средней шероховатости, наибольшей высоты неровностей профиля, среднеквадратичной шероховатости до и после обработки в плазме. Проведена оценка влияния плазменного травления алюминиевой металлизации на величину усилия, необходимого для отрыва внутреннего вывода, приваренного к контактной площадке ПЛИС.

Результаты исследований получены на оборудовании Центра коллективного пользования научным оборудованием ВГУ.